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德國 Sentech等離子沉積機(jī) SI 500 D ：
超高密度等離子體
SI 500d具有特殊的等離子體特性,，如高密度,、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積,。
平面等離子體源
森泰克**的平面三螺旋天線(PTSA)等離子體源允許高效率低功率耦合。
杰出的沉積特性
低腐蝕速率,、高擊穿電壓,、低應(yīng)力、基體無損傷,、界面狀態(tài)密度極低,，沉積溫度小于100℃，使沉積薄膜具有優(yōu)異的性能,。
動(dòng)態(tài)溫度控制
采用動(dòng)態(tài)溫度控制的基片電極,，結(jié)合He背面冷卻和基片背面溫度傳感，在室溫至+350℃的大范圍溫度范圍內(nèi),，提供優(yōu)良的穩(wěn)定工藝條件,。
SI 500d代表了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積介電薄膜、a-Si,、SiC和其他材料的前沿,。它基于PTSA等離子體源，反應(yīng)氣體分離氣體入口,，動(dòng)態(tài)控溫基片電極,，全控真空系統(tǒng)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)的先進(jìn)森泰克控制軟件,，以及一個(gè)非常友好的通用用戶界面來操作SI 500d,。
從直徑200毫米的晶圓片到負(fù)載在載體上的各種基板，都可以在SI 500 d中進(jìn)行加工,。
SI 500d等離子體增強(qiáng)沉積工具可在室溫至350℃范圍內(nèi)沉積SiO2,、SiNx、SiONx和a- SI薄膜,。溶液可用來沉積TEOS,、SiC和其他具有液體或氣體前驅(qū)體的材料。s500d特別適用于有機(jī)材料在低溫下沉積高效的保護(hù)屏障,，以及在規(guī)定溫度下無損傷沉積鈍化膜,。
森泰科提供不同的自動(dòng)化水平，從真空盒式磁帶加載到一個(gè)過程室,，多達(dá)六個(gè)端口集群,，具有不同的沉積和蝕刻模塊，目標(biāo)是高靈活性或高吞吐量,。SI 500d也可以作為集群配置上的進(jìn)程模塊,。
SI 500 D
ICPECVD等離子體沉積工具
與真空loadlock
高達(dá)200毫米晶圓
襯底溫度從RT到350℃
激光端點(diǎn)檢測(cè)
可選的襯底偏置
暫無數(shù)據(jù)！
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