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XRD 系列
晶圓和鑄錠快速準(zhǔn)確的晶向定位
從全自動(dòng)的在線分析到晶圓材料的快速質(zhì)量檢查,我們的晶向定位解決方案在
設(shè)計(jì)時(shí)考慮到了晶棒,、鑄錠,、切片和晶圓的全部應(yīng)用場(chǎng)景。此系列產(chǎn)品利用
XRD分析技術(shù)在晶圓生產(chǎn)的全部流程中,,提供簡(jiǎn)單,、快速、高精度的晶體定
向測(cè)量,,大大提高產(chǎn)品良率,。
Omega/Theta(XRD)
用于超快晶體定向的全自動(dòng)垂直三軸XRD
10秒內(nèi)完成定向
定向精度:0.003°
定向轉(zhuǎn)移技術(shù):多鑄錠取向測(cè)定,實(shí)現(xiàn)高效切割
晶錠端面及定位邊定向和轉(zhuǎn)移夾具可選
光學(xué)測(cè)量工具可選,,可測(cè)樣品直徑,、平邊/V 槽位置、形狀,、長(zhǎng)度,、深度
適應(yīng)不同樣品的精密樣品轉(zhuǎn)盤(pán)、mapping臺(tái)和工裝夾具
搖擺曲線測(cè)量
DDCOM(XRD)
緊湊型超快晶體自動(dòng)定向儀
10秒內(nèi)完成定向
定向精度:0.01°
兩個(gè)閃爍探測(cè)器
專為方位角設(shè)置和晶向標(biāo)記而設(shè)計(jì)
可測(cè)直徑為 8 mm 至**225 mm的晶圓和晶錠
無(wú)需水冷
SDCOM(XRD)
用戶友好的緊湊型多功能XRD
超快測(cè)量,,10秒內(nèi)返回結(jié)果
定向精度:0.01°
定向轉(zhuǎn)移技術(shù):多鑄錠取向測(cè)定,,實(shí)現(xiàn)高效切割
光學(xué)測(cè)量工具可選,可測(cè)樣品直徑,、平邊/V 槽位置,、形狀、長(zhǎng)度,、深度
樣品直徑1-200mm
無(wú)需水冷
XRD-OEM
在線晶體定向測(cè)定
標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)接口,,可集成到任何自動(dòng)化或加工系統(tǒng)中
線切/研磨前對(duì)大型晶錠進(jìn)行全自動(dòng)在線定向
可內(nèi)置于磨床和切割機(jī)等惡劣環(huán)境中使用
平邊/V槽的光學(xué)測(cè)量功能,如位置,、形狀,、長(zhǎng)度、深度等
Wafer XRD 200 / 300
Wafer XRD 200
無(wú)縫融入生產(chǎn)線的全自動(dòng)高速XRD
用于3-8英寸晶圓片
定向精度:0.003°
產(chǎn)能:100萬(wàn)片/年
幾秒鐘內(nèi)提供各種基本參數(shù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù),,如晶體取向和電阻率,、幾何特征(如 V 槽和平槽),、距離測(cè)量等
全自動(dòng)處理和揀選晶圓片
Wafer XRD 300
用于300mm晶圓生產(chǎn)的高速XRD
超快速提供12英寸晶圓的晶體取向和幾何特征等
定向精度:0.003°
幾秒鐘內(nèi)提供各種基本參數(shù)的關(guān)鍵數(shù)據(jù),如晶體取向和電阻率,、幾何特征(如 V 槽和平槽),、距離測(cè)量等
附加功能
晶圓面掃 鑄錠堆垛
自動(dòng)化晶圓揀選 小樣品夾具
暫無(wú)數(shù)據(jù)!
隨著動(dòng)力電池和新能源汽車的需求爆發(fā),,鋰電正極材料也正在快速迭代,,其中三元材料逐漸成為動(dòng)力電池的主流選擇,。目前三元材料中的鎳鈷錳成分分析多采用ICP分析方法,,化學(xué)分析過(guò)程相對(duì)復(fù)雜、分析時(shí)間長(zhǎng),、梯度稀釋誤
2021-08-06
展期:2025年3月10日-12日展館:上海世博展覽館 H1 號(hào)館地址:上海市?浦東博成路850號(hào)展位號(hào):H1-A4262025年3月10日至12日,馬爾文帕納科(Malvern Panalytica
為了更好的服務(wù)于一直以來(lái)選擇并支持馬爾文帕納科分析技術(shù)的廣大用戶,,除了上述客戶關(guān)懷季的巡檢活動(dòng),,我們還將在4月奉上一系列服務(wù)日活動(dòng):四場(chǎng)分別針對(duì)激光粒度儀、納米粒度儀,、X射線衍射儀,、X射線熒光光譜儀用
近日,,馬爾文帕納科(Malvern Panalytical)宣布其最新推出的X射線熒光光儀(XRF)"Revontium 極光"正式接受訂單,,并成功在美國(guó)High Desert A
本文摘要納米氣泡的粒度表征,,受限于其顆粒濃度低,、粒徑分布寬等特點(diǎn),若使用動(dòng)態(tài)光散射(DLS)技術(shù)進(jìn)行測(cè)試,,信號(hào)弱,,數(shù)據(jù)質(zhì)量較差。本文將介紹利用納米顆粒跟蹤(NTA)技術(shù)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí),、可視化的納米氣泡顆粒表
本文摘要磨料用SiO2 漿料的顆粒粒度對(duì)硅晶片的微觀形貌有直接影響,,進(jìn)而會(huì)影響到后續(xù)工序電介質(zhì)膜的均勻性;此外,,漿料的穩(wěn)定性也會(huì)影響晶片拋光過(guò)程,,所以磨料的顆粒表征非常重要,本文介紹了利用動(dòng)態(tài)光散射技
除了化學(xué)性之外,,金屬粉末的物理特性還決定這增材制造的性能,,包括粉末的整體特性和單個(gè)金屬顆粒的特性,。關(guān)鍵的整體特性是指堆積密度和流動(dòng)性。堆積密度和流動(dòng)性受顆粒粒度和形狀等形態(tài)特性的影響,。本文將介紹顆粒粒