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澤攸科技ZEL304G電子束光刻機(jī)（EBL）采用場發(fā)射電子槍,，配合一體化的高速圖形發(fā)生系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體晶圓的高速,、高分辨光刻。該系統(tǒng)標(biāo)配高精度激光干涉樣品臺(tái),，允許用戶實(shí)現(xiàn)大行程高精度拼接和套刻需求,，在新材料、前沿物理研究,、半導(dǎo)體,、微電子,、光子,、量子研究領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
產(chǎn)品特色
▲ 激光干涉樣品臺(tái)：先進(jìn)的激光干涉樣品臺(tái),，滿足大行程高精度拼接和套刻需求
▲ 場發(fā)射電子槍：高分辨場發(fā)射電子槍是光刻質(zhì)量的重要保證
▲ 圖形發(fā)生器：在保證超高速掃描的同時(shí)實(shí)現(xiàn)超高分辨率圖案繪制
樣品臺(tái)指標(biāo)
▲ 標(biāo)配：激光干涉樣品臺(tái)
▲ 樣品臺(tái)行程：≥105 mm
▲ 拼接精度：優(yōu)于50nm（平均值+ 1σ）
▲ 套刻精度：優(yōu)于50nm（平均值+ 1σ）
電子槍及成像指標(biāo)
▲ 肖特基場發(fā)射電子槍：加速電壓20V~30kV,；旁側(cè)二次電子探測器和鏡筒內(nèi)電子探測器
▲ 圖像分辨率：≤1 nm @ 15 kV；≤1.5 nm @ 1 kV
▲ 束流密度：> 7000A/cm2,；電子束流≥100nA
▲ *小束斑尺寸：≤2nm
光刻指標(biāo)
▲ 電子束閘：上升沿<100ns
▲ 寫視場：≥500×500 um
▲ *小單次曝光線寬：＜15nm（同時(shí)取決于工藝條件）
▲ 掃描速度：≥20MHz
圖形發(fā)生器參數(shù)
▲ 控制核心：高性能FPGA
▲ 停留時(shí)間*小增量：10ns
▲ **掃描速度：50MHz
▲ 圖形文件格式：GDSII,、DXF、BMP等
▲ D/A分辨率：20位
▲ 法拉第杯束流測量：包含
▲ 支持的寫場大?。?0um~500um
▲ 臨近效應(yīng)校正：可選項(xiàng)
▲ 束閘支持：5V TTL
▲ 激光干涉位移臺(tái)：可選項(xiàng)
▲ 掃描方式：順序掃描（Z型）,、循環(huán)掃描（S型）、螺旋型掃描等多種矢量掃描模式
▲ 曝光模式：支持場校準(zhǔn),、場拼接,，支持套刻,，支持多圖層自動(dòng)曝光
▲ 外接通道支持：支持電子束掃描、工件臺(tái)移動(dòng),、束閘通斷,、二次電子檢測
選配附件
▲ 配套UPS不間斷電源
▲ 配套主動(dòng)減震臺(tái)，*低自然頻率2Hz
暫無數(shù)據(jù),！
國產(chǎn)電子束光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)自主可控，是實(shí)現(xiàn)我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的重要一環(huán),。近日,，澤攸科技聯(lián)合松山湖材料實(shí)驗(yàn)室開展的全自主電子束光刻機(jī)整機(jī)的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目取得重大進(jìn)展，成功研制出電子束光刻系統(tǒng),，實(shí)現(xiàn)了
在科技創(chuàng)新的浪潮中，澤攸科技以其研發(fā)實(shí)力和創(chuàng)新精神,，不斷推動(dòng)著儀器行業(yè)的發(fā)展,。6月12日，我們迎來了一個(gè)具有里程碑意義的時(shí)刻——澤攸科技銅陵公司正式喬遷至東市電子創(chuàng)業(yè)園,，這不僅是公司發(fā)展歷程中的一個(gè)新
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