緊湊型設(shè)計,，占地面積僅為 46”x44”,，不銹鋼立柜。
工藝過程通過觸摸屏 PC 和 LabView 軟件,，可實現(xiàn)全自動的 PC控制,，具有高度的可重復(fù)性，且具有友好的用戶界面,。
系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖,，提供四級密碼授權(quán)訪問保護(hù)，含：
,。操作者權(quán)限：運(yùn)行程序
,。 工藝師權(quán)限：添加/編輯和刪除程序
。 工程師權(quán)限：可獨(dú)立控制子系統(tǒng),，并開發(fā)程序
,。服務(wù)權(quán)限：NM 工程師故障診斷和排除
真空系統(tǒng)包含渦輪分子泵和機(jī)械泵，極限真空可達(dá)到 5 x10-7Torr,。渦輪分子泵與腔體之間的直連設(shè)計,，系統(tǒng)可獲得**的真空傳導(dǎo)率，基本可以達(dá)到 15 分鐘可達(dá)到工藝真空,，8 小時達(dá)到腔體極限真空,。腔體壓力調(diào)節(jié)通過 PC 自動控制渦輪速度而全自動調(diào)節(jié)，快速穩(wěn)定,。
在**個腔體中通過離子束可達(dá)到原子級的清洗,，離子源安裝在腔體頂部，離子源配套 2KV,，300mA 的電源,。樣品臺配套 4”或 6”基片夾具,、水冷，并可對著離子束流實現(xiàn)+900C 到-900C 旋轉(zhuǎn),。系統(tǒng)配套氣動遮板,，使得工藝運(yùn)行前穩(wěn)定離子束流。
根據(jù)應(yīng)用需要可以升級離子源,，以支持更大尺寸晶圓片的處理,。
第二個腔體可以根據(jù)應(yīng)用需要配套 ALD、PECVD,、磁控、電子束蒸鍍,、熱蒸鍍等鍍膜,。
膜厚監(jiān)控儀校準(zhǔn)后可實現(xiàn)原位膜厚測量，可以工藝時間或工藝膜厚為工藝終點(diǎn)條件,，系統(tǒng)支持設(shè)定目標(biāo)膜厚,，當(dāng)達(dá)到設(shè)定的目標(biāo)膜厚時全自動結(jié)束工藝。水冷保護(hù)晶振夾具,，膜厚和沉積速率以及晶振壽命可顯示,，可存儲高達(dá) 100 個膜厚數(shù)據(jù)。
系統(tǒng)的兩個腔體均配套單片的 Auto L/UL,，可實現(xiàn)自動進(jìn)樣,、對準(zhǔn)、出樣,，在不間斷工藝真空情況下連續(xù)處理樣片,。Load Lock腔體帶獨(dú)立真空系統(tǒng)和真空計，通過 PC 全自動監(jiān)控,。兩個腔體之間可以互相傳送樣片,。整個過程計算機(jī)全自動控制。
應(yīng)用：
,。光學(xué)鍍膜
,。 Sputterint 濺射
。IBAD 離子束輔助沉積
,。離子束刻蝕清洗
,。 離子束輔助反應(yīng)性刻蝕
。 紅外鍍膜
,。表面處理
設(shè)備特點(diǎn)：
,。RF 射頻偏壓樣品臺
。 膜厚原位監(jiān)測
,。 極限真空 5 x 10-7Torr
,。 **的真空傳導(dǎo)率設(shè)計，具有快速真空能力
。 PC 全自動控制,，超高的精度及可重復(fù)性
,。 高質(zhì)量薄層
。原子級的超凈表面
,。 原子級清洗和拋光
,。 LabView 軟件的 PC 控制系統(tǒng)
。 自動上/下載片
,。 兩個腔體可以分別獨(dú)立使用并實現(xiàn)自動上下載片
,。 兩腔體之間自動傳送，雙向傳送支持
,。 菜單驅(qū)動,，密碼保護(hù)
。 安全互鎖
,。 占地面積 46”D x 44”W
系統(tǒng)可選：
,。 向下/向上濺射
。共濺射
,。DC,， RF 以及脈沖電源
。離子束輔助沉積
,。 電子束源
,。熱蒸鍍
。等離子源
,。 ALD 沉積或 PECVD 沉積
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