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等離子體增強化學氣相沉積（Oxford Plasmalab System100 PECVD）
原理：
·在保持一定壓力的原料氣體中，借助射頻功率產生氣體放電,，使含有薄膜組成原子的氣體電離,，在局部形成等離子體。在氣體放電等離子體中,，由于低速電子與氣體原子碰撞,，產生正、負離子之外,，還會產生大量的活性基,，從而大大增強反應氣體的化學活性。這樣,，在相對較低的溫度下,，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜,。由于PECVD技術是通過反應氣體放電來制備薄膜的,，有效的利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式,。
一般說來,，采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：
首先,，在非平衡等離子體中,，電子與反應氣體發(fā)生初級反應，使得反應氣體發(fā)生分解,，形成離子和活性基團的混合物,；
其二，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散運運輸運,，同時發(fā)生各反應物之間的次級反應,；左后，到達生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并于表面發(fā)生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出,。
PECVD的優(yōu)點是：基本溫度低,，沉積速率快，成模質量好,，針孔較少,，不易龜裂。
技術指標：
·可蒸發(fā)不同厚度的SiO2 和SiNx薄膜,，廣泛應用于物理,，生物，化學,，材料,，電子等領域。
·沉積薄膜種類：SiO2,，SiNx,，SiONx
·基底溫度：小于400℃
·薄膜均勻性：±3%（4英寸）
·裝片：小于6英寸的任意規(guī)格的樣品若干
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