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德國(guó)Allresist 正電子束光刻膠 AR-P 610系列

用于納米光刻的 AR - P617電子束電阻

共聚物抗蝕劑系列用于生產(chǎn)集成電路和掩模

描述

-電子束,，深紫外光(248nm)

-高分辨率，高對(duì)比度

-對(duì)玻璃,、硅和金屬有很強(qiáng)的附著力

-比PMMA敏感3-4倍

-敏感性可以通過軟烤調(diào)整

-用于平面化和多層工藝

-溫度穩(wěn)定,，可達(dá)240℃

-以甲基丙烯酸甲酯為基礎(chǔ)的共聚物

甲基丙烯酸，安全溶劑1-甲氧基-2-丙醇

屬性 I

屬性 II

工藝條件

該圖顯示了AR-P 610系列電阻的典型工藝步驟,。所有規(guī)范都是指導(dǎo)原則必須適應(yīng)自身具體情況的價(jià)值觀,。For 進(jìn)一步 信息 processing， ? “Detailed 電子束電阻的處理說明",。For 建議 廢水 處理 和 general 安全 instructions,， ? ”General 產(chǎn)品 信息 Allresist 電子束 resists”.

Processing instructions

抗蝕劑的敏感性隨軟烤溫度的升高而增加，這是因?yàn)榭刮g劑的形成更加強(qiáng)烈下的甲基丙烯酸酐的分離 水 ( 圖劑量 與 softbake temperature).AR-P 617,，因此,，在200℃回火比在180℃回火大約敏感20%。劑量可以是對(duì)兩層AR-P 617系統(tǒng)進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整,，對(duì)于兩層系統(tǒng)具有重要意義,。在這種情況下，首先,，底層在200℃下干燥,，然后在180℃與上層膜一起回火,。由于差異化的過程，較低的層次被開發(fā)人員更快地攻擊,，并明顯削弱結(jié)構(gòu)形成(起飛),。這些起飛結(jié)構(gòu)也可以由雙層系統(tǒng)PMMA/共聚物。首先在190℃下對(duì)ar - p617進(jìn)行涂層回火處理,，然后對(duì)其進(jìn)行PMMA抗AR-P 679.03紡絲涂膜,，150℃烘干。曝光后,，兩層都是一步顯影,，如AR 600-56處理瓶塞AR 600-60并沖洗。

剝離結(jié)構(gòu)為ar - p617兩層側(cè)切結(jié)構(gòu),， 采用PMMA/共聚物

經(jīng)過AR 600-50的開發(fā) 開發(fā)后的PMMA/共聚物雙層體系

底部:AR-P 617.06,， 400納米厚，200℃回火 底部:AR-P 617.06,， 400納米厚,，在190℃回火

頂部:AR-P 617.06， 500納米厚,，180℃回火 頂部:AR-P 679.06,， 180納米厚，150℃回火

由甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸組成的共聚物與純PMMA產(chǎn)品相比,，在熱載荷作用下能形成6環(huán),。在這種情況下，兩個(gè)甲基丙烯酸基團(tuán)必須相鄰排列在聚合物鏈上(見大的結(jié)構(gòu)式左),，這在統(tǒng)計(jì)學(xué)上發(fā)生足夠高混合比例為2:1時(shí)的頻率(見右上方分子式),。在這個(gè)溫度下反應(yīng)是可能的，因?yàn)樵诜磻?yīng)過程中產(chǎn)生的水是非常好的離開組織,。

The 6-ring形成分裂比脂肪鏈更容易在與電子輻照 remainder 導(dǎo)致 copolymer. 的靈敏度越高一旦調(diào)整,，靈敏度將保持不變。逆開環(huán)反應(yīng)是不可能的,。

由于其優(yōu)異的涂層性能,，使其成為可能存在的水平出拓?fù)?wafer 發(fā)展之前在這個(gè)例子中，200納米高氧化層結(jié)構(gòu)采用AR-P 617.08涂層的薄膜厚度為780納米,。曝光后(20kv)和開發(fā)(AR 600- 50,，2分鐘)，晶圓片結(jié)構(gòu)被完全平面的抗蝕劑線覆蓋,。