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NanoFrazor 3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機 源自IBM**研發(fā)成果 |
| NanoFrazor納米3D結(jié)構(gòu)直寫機的問世,，源于發(fā)明STM和AFM的IBM蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術(shù)的**研究成果,。NanoFrazor納米3D結(jié)構(gòu)直寫機**次將納米尺度下的3D結(jié)構(gòu)直寫工藝快速化,、穩(wěn)定化。 |
| NanoFrazor采用尖端直徑為5nm的探針，通過靜電力精確控制實現(xiàn)直寫3D高精度直寫,，并通過懸臂一側(cè)的熱傳感器實現(xiàn)實時的形貌探測,。相對于其他制備技術(shù)如電子束曝光/光刻技術(shù)(EBL)， 聚焦離子束刻蝕(FIB)有以下特點： | |
| ■ 3D納米直寫能力 高直寫精度 (XY: 10nm,， Z: 1nm) 高速直寫 20 mm/s 與EBL媲美 ■ 無需顯影,，實時觀察直寫效果形貌感知靈敏度0.1nm 樣品無需標記識別，多結(jié)構(gòu)套刻,，對準精度 5nm ■ 無臨近效應(yīng) 高分辨,，高密度納米結(jié)構(gòu) ■ 無電子/離子損傷 高性能二維材料器件 ■ 區(qū)域熱加工和化學反應(yīng) 多元化納米結(jié)構(gòu)改性 ■ 大樣品臺 100mm X 100mm |
| 新產(chǎn)品發(fā)布：NEW！,！ | NanoFrazor Scholar --小面積直寫 |
| ■ 3D納米直寫能力 高直寫精度 (XY: 30nm,， Z: 1nm) 高速直寫 10 mm/s ■ 無需顯影，實時觀察直寫效果形貌感知靈敏度0.1nm 樣品無需標記識別,，多結(jié)構(gòu)套刻,，對準精度 10 nm ■ 無臨近效應(yīng) 高分辨，高密度納米結(jié)構(gòu) ■ 無電子/離子損傷 高性能二維材料器件 ■ 區(qū)域熱加工和化學反應(yīng) 多元化納米結(jié)構(gòu)改性 ■ 小樣品臺 30mm X 30mm |
| 該技術(shù)自問世以來已經(jīng)多次刷新了世界上*小3D立體結(jié)構(gòu)的尺寸,，創(chuàng)造了世界上*小的馬特洪峰模型,，*小立體世界地圖，*小刊物封面等世界記錄,。 |
| 獨特的直寫與反饋流程 | |
PPA(聚苯二醛) 直寫膠涂敷在樣品表面,。 背熱式直寫探針，微區(qū)電阻式加熱針尖,。與針尖接近的PPA受熱瞬間分解,，周圍部分由于PPA熱導率低而不受影響。 熱針震動模式直寫,，直寫時探針加熱,，每次下針幅度受靜電力控制，垂直精度 1 nm,，從而寫出3D圖形,。 冷針接觸模式掃描，回程掃描時探針冷卻,，由側(cè)壁的熱感應(yīng)器探測樣品高度變化(精度0.1nm),， 獲得樣品形貌。反饋數(shù)據(jù)修正下一行直寫,。 |
| 獨有的直寫針尖設(shè)計 |
| 普通的AFM針尖無法滿足上述NanoFrazor直寫流程的需求,，因此NanoFrazor所用針尖是由IBM專門研發(fā)設(shè)計的。該針尖具有兩個電阻加熱區(qū)域,，針尖上方的加熱區(qū)域可以加熱到1000oC,。 第二處加熱區(qū)域作為熱導率傳感器位于側(cè)臂處,，其能感知針尖與樣品距離的變化，精度高達0.1 nm,。因此在每行直寫進程結(jié)束后的回掃結(jié)構(gòu)時,，并不是通過針尖 起伏反饋形貌信息，而是通過熱導率傳感器感應(yīng)形貌變化,，從而實現(xiàn)了比AFM快1000余倍的掃描速度,，同避免了針尖的快速磨損消耗。 |
| NanoFrazor技術(shù)特點 |
其他功能 ● 納米顆粒有序定位排列 ● 納米局部化學反應(yīng)誘導 ● 表面化學圖案,、結(jié)構(gòu)生成 | 納米顆粒有序定位排列 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | |||
快速原型設(shè)計開發(fā) ● 衍射透鏡,，全息圖 ● 非球面微透鏡陣列 ● 波導纖維、光子晶體 ● MEMS/NEMS ● 表面等離子激元,，超材料 ● 納米磁學 ● 納米電子器件 ● 生物細胞研究 ● 納米流體控制 ● 反物質(zhì)物理學 | 微納結(jié)構(gòu) ● 防偽標識 ● DFB 激光,、 ● ASICs 的關(guān)鍵部位加工 模板加工 ● 光掩模板 ● 納米壓印印章 ● 注射成型模具 | ||
暫無數(shù)據(jù)！
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