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Minilock-Phantom III具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
可適用于單個(gè)基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸),，為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供***的刻蝕能力,。它也具有多尺寸批處理功能(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達(dá)七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜,，如氧化硅,、氮化硅、多晶硅,、鋁,、砷化鎵、鉻,、銅,、磷化銦和鈦。該反應(yīng)室還可以用于去除光刻膠和有機(jī)材料,。可選配靜電吸盤(E-chuck),，以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻,。該E-chuck使用氦壓力控制器，及在基片背面保持一個(gè)氦冷卻層,，從而達(dá)到控制基片溫度的作用,。
該設(shè)備可選配一個(gè)電感耦合等離子(ICP)源，其使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子,，從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能,。
基片通過預(yù)真空室裝入。其避免與工藝室以及任意殘余刻蝕副產(chǎn)品接觸,，從而提高了用戶安全性,。預(yù)真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而隔絕外部濕氣,，防止反應(yīng)室內(nèi)可能發(fā)生的腐蝕,。
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