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原子層沉積技術(shù)

原子層沉積系統(tǒng)：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù),，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù),。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序,、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積,。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性,，可以提供**的薄膜性能,。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上,。

原子層沉積系統(tǒng)應(yīng)用：

• 高介電薄膜

• 疏水涂層

• 鈍化層

• 深硅刻蝕銅互連阻擋層薄膜

• 微流控臺階涂層

• 用于催化劑層的單金屬涂層的燃料電池

ALD-4000原子層沉積系統(tǒng)特點：

• 獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統(tǒng)

• Labview軟件,，具備四級密碼控制的用戶授權(quán)保護功能

• 安全互鎖設(shè)計，強大的靈活性,，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3,， AlN， TiN,， ZrO2,， LaO2， HfO2,，等等）

• 12”的鋁質(zhì)反應(yīng)腔體,，帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋

• *多7個50ml的加熱汽缸，用于前驅(qū)體以及反應(yīng)物,，同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥

ALD-4000原子層沉積系統(tǒng)選配項：

• NLD-4000系統(tǒng)的選配項包含自動L/UL上下載(用于6”基片)

• ICP離子源(用于等離子增強的PEALD)

• 臭氧發(fā)生器

等等客戶定制選項

案例：6”晶圓片上的均勻性數(shù)據(jù)