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PMGI & LOR負光刻膠使能高產(chǎn),，廣泛應(yīng)用于在處理多種數(shù)據(jù)存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離。PMGI & LOR負光刻膠作為雙疊層光刻膠,，在超出單層防腐可以延長限制剝離處理,。這包括非常高的分辨率的金屬化（＜0.25μM），以及非常厚（＞4μm）金屬化,。這些獨特的材料可幾乎滿足任何客戶需要,。
PMGI & LOR的特性：
1）高分辨，可用于 <0.25 μm Lift-off 工藝
2）undercut 結(jié)構(gòu)可控,，溶解速率易于調(diào)節(jié)
3）在Si,，NiFe，GaAs,，nP和其它III-V材料上有良好的粘附力
4）與 g-,， h-,，i-line，DUV,，193 nm 和 E-beam 光刻膠等兼容
5）良好的耐熱穩(wěn)定性
6）去膠容易,，剝離干凈
應(yīng)用：金屬電梯加工，橋制造,，釋放層
PMGI & LOR的屬性
1）覆蓋在成像抗蝕劑不會混雜
2）在TMAH雙疊層一步發(fā)展,，或KOH開發(fā)
3）高熱穩(wěn)定性：Tg ~190 C
4）快速清除和常規(guī)抗剝離干凈
5）0.25μm微米雙層抗蝕成像
6）產(chǎn)量高，可用于很厚（＞3μm）金屬剝離處理
加工環(huán)境：
溫度：20-25°± 1°C
濕度：35-45% ± 2%
相關(guān)溶液：
顯影液：101 Developer
去膠劑：Remover PG
稀釋液：G Thinner
一般儲存溫度：
4-27°C
暫無數(shù)據(jù),！
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