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金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(MOCVD)
產(chǎn)地：法國AS；
科研型MOCVD設(shè)備,，也稱為MOVPE,，包含了**的液體直接注入工藝，同一腔室完成沉積和退火,。
- 更低的設(shè)備及使用成本,、更少的前驅(qū)體源使用、更小的腔體尺寸,、跟高的薄膜沉積品質(zhì),！
- 非常適合高校及研究所科研使用！
應(yīng)用：- 金屬及合金,， 氧化物,， 氮化物， III-V,， II-VI,，...
- 半導(dǎo)體: SiO2， HfO2,， Ta2O5,， Cu,， TiN， TaN,， ...
- 氮化物及合金: GaN,， AlN， GaAs,， GaAsN...
- 高介電材料: SrTiO3,， BaTiO3， Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...
- 鐵電材料: SBT,， SBTN,， PLZT， PZT,，…
- 超導(dǎo)材料: YBCO,， Bi-2223， Bi-2212,， Tl-1223,， …
- 壓電材料: (Pb， Sr)(Zr,，Ti)O3,， 改性鈦酸鉛...
- 金屬: Pt， Cu,，...
- 巨磁阻材料...
- 熱涂層,， 阻擋層， 機(jī)械涂層,， 光學(xué)材料...
- 其他…
儀器參數(shù)：1/ 1~8英寸MOCVD系統(tǒng),；
2/ 專為滿足科研單位需求而設(shè)計(jì)；
3/ MC050 MOCVD系統(tǒng)可在不同基底上,，以MOCVD方式,，在固體、液體有機(jī)金屬基源上沉積氧化物,、氮化物,、金屬、III-V 和 II-VI膜層,；
4/ MC050 MOCVD配有前驅(qū)體直接處理單元,，可在大范圍內(nèi)使用MO源，用于外延材料的研發(fā)和制備,；
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)在線退火工藝,；
性能及特點(diǎn)：1/ 溫度范圍: 室溫至1200°C ；
2/ 帶質(zhì)量流量控制器的氣體混合性能,；
3/ 真空范圍: ~ 10-3 Torr,，可選配高真空,；
4/ 選配手套箱；
暫無數(shù)據(jù),！
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