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韓國樣本
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我們提供了一套完整的MOCVD,主要產(chǎn)品包括臺式研發(fā)型,、中試型和生產(chǎn)型,。其反應(yīng)器的設(shè)計(jì)可以根據(jù)工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產(chǎn)的需要。我們也能為客戶設(shè)計(jì)以滿足客戶特殊工藝和應(yīng)用的需要,。系統(tǒng)部件包括:反應(yīng)器、氣體傳輸系統(tǒng),、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng),。
應(yīng)用方向:氧化物、氮化物,、碳化物,、硫族(元素)化物、半導(dǎo)體等
提供適用不同材料研究需要的反應(yīng)器:
透明導(dǎo)體氧化物(TCO)應(yīng)用于LCD,、太陽能電池,、透明加熱器、電極,、LED,、OLED等方面包括:P型ZnO, ITO,, SrCuO,,MgAlO,SrRuOm等MOCVD系統(tǒng)
MEMS & MOEMs包括:PZT,, ZrO,, NbO,LiNbO,, TiO2,,SiO2,PbMgO,, CMO,,Ta2O5等MOCVD系統(tǒng)
儲存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應(yīng)用于柵極、介電層,、鐵電,、高頻設(shè)備、鈍化,、保護(hù)層等,,包括:BST,PZT, SBT,, CMO,, BLT,Hf(Si)O,, Ta2O5,,,Zr(Si)O,,Al2O3,, MgO等MOCVD系統(tǒng)
波導(dǎo), 光電,, WDMs. MOEMS 等材料,,包括:YBCO, PZT,, ZnO,, ZnSiO:Mn, GaN,,SiC,, Al, W,, Cn等MOCVD系統(tǒng)
其他材料如:超導(dǎo),、氮化物、氧化物,、磁性材料,、包括:YBCO, PZT,, ZnO,, ZnSiO:Mn, GaN,,SiC,, Al, W,, Cn等MOCVD系統(tǒng)
金屬及合金,, 氧化物, 氮化物,, III-V,, II-VI,...
半導(dǎo)體: SiO2,, HfO2,, Ta2O5,, Cu, TiN,, TaN,, ...
氮化物及合金: GaN, AlN,, GaAs,, GaAsN...
高介電材料:SrTiO3, BaTiO3,, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...
鐵電材料: SBT,, SBTN, PLZT,, PZT,,…
超導(dǎo)材料:YBCO, Bi-2223,, Bi-2212, Tl-1223,, …
壓電材料: (Pb,, Sr)(Zr,Ti)O3,, 改性鈦酸鉛...
金屬:Pt,, Cu,...
巨磁阻材料...
熱涂層,, 阻擋層,, 機(jī)械涂層, 光學(xué)材料...
我們提供了從桌面型反應(yīng)器(針對研究和提高的需要)到自動化生產(chǎn)系統(tǒng),。出于材料變化種類的適應(yīng)性和經(jīng)濟(jì)價(jià)格的考慮,,對任何研究人員來說桌面型反應(yīng)器是*合適的選擇,而且也極容易升級為量產(chǎn)型,。
科研型MOCVD設(shè)備,,包含液體直接注入ALD工藝,同一腔室完成沉積和退火,。
-更低的設(shè)備及使用成本,、更少的前驅(qū)體源使用、更小的腔體尺寸,、跟高的薄膜沉積品質(zhì),!
-非常適合高校及研究所科研使用!
儀器參數(shù):
1/ 1~4英寸MOCVD系統(tǒng),;
2/ 專為滿足科研單位需求而設(shè)計(jì),;
3/ MOCVD系統(tǒng)可在不同基底上,,以MOCVD方式,在固體,、液體有機(jī)金屬基源上沉積氧化物,、氮化物、金屬,、III-V 和 II-VI膜層,;
4/ MOCVD配有前驅(qū)體直接處理單元,可在大范圍內(nèi)使用MO源,,用于外延材料的研發(fā)和制備,;
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)在線退火工藝;
性能及特點(diǎn):
1,, 溫度范圍: 室溫至1200°C ,;
2, 帶質(zhì)量流量控制器的氣體混合性能,;
3,, 真空范圍: ~ 10-3Torr,可選配高真空,;
4,, 選配手套箱;
5,, 已被客戶廣泛接受
6,, 堅(jiān)固耐用
7, 可靠性高
8,, 良好的可重復(fù)性
9,, 經(jīng)濟(jì)適用
暫無數(shù)據(jù)!