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韓國樣本
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我們提供了一套完整的MOCVD,,主要產(chǎn)品包括臺式研發(fā)型,、中試型和生產(chǎn)型。其反應(yīng)器的設(shè)計可以根據(jù)工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產(chǎn)的需要,。我們也能為客戶設(shè)計以滿足客戶特殊工藝和應(yīng)用的需要,。系統(tǒng)部件包括:反應(yīng)器、氣體傳輸系統(tǒng),、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng),。
應(yīng)用方向:氧化物、氮化物,、碳化物,、硫族(元素)化物、半導(dǎo)體等
提供適用不同材料研究需要的反應(yīng)器:
透明導(dǎo)體氧化物(TCO)應(yīng)用于LCD、太陽能電池,、透明加熱器,、電極、LED,、OLED等方面包括:P型ZnO,, ITO, SrCuO,,MgAlO,,SrRuOm等MOCVD系統(tǒng)
MEMS & MOEMs包括:PZT, ZrO,, NbO,,LiNbO, TiO2,,SiO2,,PbMgO, CMO,,Ta2O5等MOCVD系統(tǒng)
儲存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應(yīng)用于柵極,、介電層、鐵電,、高頻設(shè)備,、鈍化、保護層等,,包括:BST,,PZT, SBT,, CMO,, BLT,Hf(Si)O,, Ta2O5,,,Zr(Si)O,,Al2O3, MgO等MOCVD系統(tǒng)
波導(dǎo),, 光電,, WDMs. MOEMS 等材料,包括:YBCO,, PZT,, ZnO, ZnSiO:Mn,, GaN,,SiC,, Al, W,, Cn等MOCVD系統(tǒng)
其他材料如:超導(dǎo),、氮化物、氧化物,、磁性材料,、包括:YBCO, PZT,, ZnO,, ZnSiO:Mn, GaN,,SiC,, Al, W,, Cn等MOCVD系統(tǒng)
金屬及合金,, 氧化物, 氮化物,, III-V,, II-VI,...
半導(dǎo)體: SiO2,, HfO2,, Ta2O5, Cu,, TiN,, TaN, ...
氮化物及合金: GaN,, AlN,, GaAs, GaAsN...
高介電材料:SrTiO3,, BaTiO3,, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...
鐵電材料: SBT, SBTN,, PLZT,, PZT,…
超導(dǎo)材料:YBCO,, Bi-2223,, Bi-2212, Tl-1223, …
壓電材料: (Pb,, Sr)(Zr,,Ti)O3, 改性鈦酸鉛...
金屬:Pt,, Cu,,...
巨磁阻材料...
熱涂層, 阻擋層,, 機械涂層,, 光學(xué)材料...
我們提供了從桌面型反應(yīng)器(針對研究和提高的需要)到自動化生產(chǎn)系統(tǒng)。出于材料變化種類的適應(yīng)性和經(jīng)濟價格的考慮,,對任何研究人員來說桌面型反應(yīng)器是*合適的選擇,,而且也極容易升級為量產(chǎn)型。
科研型MOCVD設(shè)備,,包含液體直接注入ALD工藝,,同一腔室完成沉積和退火。
-更低的設(shè)備及使用成本,、更少的前驅(qū)體源使用,、更小的腔體尺寸、跟高的薄膜沉積品質(zhì),!
-非常適合高校及研究所科研使用,!
儀器參數(shù):
1/ 1~4英寸MOCVD系統(tǒng);
2/ 專為滿足科研單位需求而設(shè)計,;
3/ MOCVD系統(tǒng)可在不同基底上,,以MOCVD方式,在固體,、液體有機金屬基源上沉積氧化物,、氮化物、金屬,、III-V 和 II-VI膜層,;
4/ MOCVD配有前驅(qū)體直接處理單元,可在大范圍內(nèi)使用MO源,,用于外延材料的研發(fā)和制備,;
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統(tǒng)可實現(xiàn)在線退火工藝;
性能及特點:
1,, 溫度范圍: 室溫至1200°C ;
2,, 帶質(zhì)量流量控制器的氣體混合性能,;
3, 真空范圍: ~ 10-3Torr,可選配高真空,;
4,, 選配手套箱;
5,, 已被客戶廣泛接受
6,, 堅固耐用
7, 可靠性高
8,, 良好的可重復(fù)性
9,, 經(jīng)濟適用
暫無數(shù)據(jù)!