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電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)

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型號(hào)

品牌

產(chǎn)地

韓國

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暫無
科睿設(shè)備有限公司

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儀器簡(jiǎn)介:

全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備制造商,,為各個(gè)領(lǐng)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案:電子束蒸發(fā)系統(tǒng),、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng),、分子束外延MBE,、有機(jī)分子束沉積OMBD、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher,、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,、離子泵等;

電子束蒸發(fā)系統(tǒng)

1.膜電子束蒸發(fā)系統(tǒng)E -Beam Evaporation System

2.高真空電子束蒸發(fā)系統(tǒng)High Vacuum E -Beam Evaporation System

3.超高真空電子束蒸發(fā)系統(tǒng)Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System

4.離子輔助蒸發(fā)系統(tǒng)Ion Beam Assisted Evaporation System

5.離子電鍍系統(tǒng)Ion Plating System

6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System

7.在線電子束蒸發(fā)系統(tǒng)In-line E -Beam Evaporation System

技術(shù)參數(shù):

1.電子束源&電源

單個(gè)或者可自由切換換電子束源:

--蒸發(fā)室數(shù)量 1 ~ 12(標(biāo)配: 4, 6)

--坩堝容量:7 ~ 40 cc (**可達(dá)200 cc)

--標(biāo)準(zhǔn):25 cc (4 or 6 Pocket),, 40 cc (4 Pocket)

--**:200 cc (156cc for UHV) 可用于長時(shí)間的沉積

--偏轉(zhuǎn)角度:180o,, 270o

--輸出功率:6, 10,, 15,, 20 kW

--支持兩個(gè)或者三個(gè)電子束源在一個(gè)系統(tǒng)上

--可連續(xù)或者同時(shí)沉積兩種或三種材料

--高速率沉積

2.薄膜沉積控制:

IC-5 ( or XTC, XTM) 和計(jì)算機(jī)控制

--沉積過程參數(shù)可控

--石英晶體振蕩傳感器

--光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)用于光學(xué)多層薄膜沉積:測(cè)量波長范圍350-2000 nm,,分辨率1 nm

--薄膜厚度檢測(cè)和處理過程可通過計(jì)算機(jī)程序控制

--薄膜厚度檢測(cè)和沉積速率可通過計(jì)算機(jī)程序控制

--支持大面積沉積

--支持在線電子束蒸發(fā)沉積

--基底尺寸:20~100英寸

--薄膜均勻性 <±1.0 to 5.0 %

3.真空腔體:

--圓柱形腔體

--直徑:φ500 ~ 1,,500 mm

--高度:800 ~ 1500 mm

--方形腔體

--根據(jù)客戶的需求定制

4.真空泵和測(cè)量裝置:

--低真空:干泵和convectron真空規(guī)

--高真空:渦輪分子泵,低溫泵和離子規(guī)

--超高真空:雙級(jí)渦輪分子泵,,離子泵和離子規(guī)

5.控制系統(tǒng)PLC和 觸摸屏計(jì)算機(jī):

--硬件: PLC,, 觸摸屏計(jì)算機(jī)

--包括模擬和數(shù)字輸入/輸出卡

--顯示器: LCD

--自動(dòng)和手動(dòng)程序控制

--程序控制:加載,編輯和保存

--程序激活控制:

--泵抽真空,,蒸發(fā)沉積,,加熱, 旋轉(zhuǎn)等

--膜厚度檢測(cè)和控制多層薄膜沉積

--系統(tǒng)狀態(tài),,數(shù)據(jù)加載等

--問題解答和聯(lián)動(dòng)狀態(tài)

擴(kuò)展功能:

1,、質(zhì)量流量控制器:反應(yīng)和等離子體輔助惰性氣體控制

2、離子源和控制器:等離子體輔助沉積

3,、射頻電源:基底預(yù)先處理

4,、溫度控制器:基底加熱

5、熱蒸發(fā)器:1 or 2 boat

6,、蒸鍍?cè)碿ell:1 or 2 for doping

7,、冷卻器:系統(tǒng)冷卻

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10分

易用性

10分

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