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儀器簡介：

全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備制造商,，為各個領(lǐng)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng),、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng),、分子束外延MBE,、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher,、電子回旋共振等離子體增強化學(xué)氣相沉積,、離子泵等；

電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：

1.膜電子束蒸發(fā)系統(tǒng)E -Beam Evaporation System

2.高真空電子束蒸發(fā)系統(tǒng)High Vacuum E -Beam Evaporation System

3.超高真空電子束蒸發(fā)系統(tǒng)Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System

4.離子輔助蒸發(fā)系統(tǒng)Ion Beam Assisted Evaporation System

5.離子電鍍系統(tǒng)Ion Plating System

6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System

7.在線電子束蒸發(fā)系統(tǒng)In-line E -Beam Evaporation System

技術(shù)參數(shù)：

1.電子束源&電源

單個或者可自由切換換電子束源：

--蒸發(fā)室數(shù)量 1 ~ 12(標(biāo)配: 4,， 6)

--坩堝容量：7 ~ 40 cc (**可達200 cc)

--標(biāo)準(zhǔn)：25 cc (4 or 6 Pocket),， 40 cc (4 Pocket)

--**：200 cc (156cc for UHV) 可用于長時間的沉積

--偏轉(zhuǎn)角度：180o， 270o

--輸出功率：6,， 10,， 15， 20 kW

--支持兩個或者三個電子束源在一個系統(tǒng)上

--可連續(xù)或者同時沉積兩種或三種材料

--高速率沉積

2.薄膜沉積控制：

IC-5 ( or XTC,， XTM) 和計算機控制

--沉積過程參數(shù)可控

--石英晶體振蕩傳感器

--光學(xué)檢測系統(tǒng)用于光學(xué)多層薄膜沉積：測量波長范圍350-2000 nm,，分辨率1 nm

--薄膜厚度檢測和處理過程可通過計算機程序控制

--薄膜厚度檢測和沉積速率可通過計算機程序控制

--支持大面積沉積

--支持在線電子束蒸發(fā)沉積

--基底尺寸：20~100英寸

--薄膜均勻性 <±1.0 to 5.0 %

3.真空腔體：

--圓柱形腔體

--直徑：φ500 ~ 1，500 mm

--高度：800 ~ 1500 mm

--方形腔體

--根據(jù)客戶的需求定制

4.真空泵和測量裝置：

--低真空：干泵和convectron真空規(guī)

--高真空：渦輪分子泵,，低溫泵和離子規(guī)

--超高真空：雙級渦輪分子泵,，離子泵和離子規(guī)

5.控制系統(tǒng)PLC和 觸摸屏計算機：

--硬件: PLC， 觸摸屏計算機

--包括模擬和數(shù)字輸入/輸出卡

--顯示器: LCD

--自動和手動程序控制

--程序控制：加載,，編輯和保存

--程序激活控制：

--泵抽真空,，蒸發(fā)沉積,，加熱,， 旋轉(zhuǎn)等

--膜厚度檢測和控制多層薄膜沉積

--系統(tǒng)狀態(tài)，數(shù)據(jù)加載等

--問題解答和聯(lián)動狀態(tài)

擴展功能：

1,、質(zhì)量流量控制器：反應(yīng)和等離子體輔助惰性氣體控制

2,、離子源和控制器：等離子體輔助沉積

3、射頻電源：基底預(yù)先處理

4,、溫度控制器：基底加熱

5,、熱蒸發(fā)器：1 or 2 boat

6、蒸鍍源cell：1 or 2 for doping

7、冷卻器：系統(tǒng)冷卻