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M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備
M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備

參考價格

面議

型號

M82200-10UM型PECVD 鍍膜設(shè)備

品牌

電子科技

產(chǎn)地

湖南

樣本

暫無
中國電子科技集團公司第四十八研究所

高級會員

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第1年

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工商已核實

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PECVD鍍膜設(shè)備采用直接式等離子體沉積方式,,可生產(chǎn)出質(zhì)量**的晶體硅太陽能電池減反射膜,,是業(yè)內(nèi)管徑、單管產(chǎn)能**的管式鍍膜設(shè)備,。

單臺(5管)產(chǎn)能≥3600片/小時(單管裝片416片/批),;

沉膜均勻性好,膜厚均勻性指標(biāo)可達:片內(nèi)≤3%,、片間≤3%,、批間≤3%;

350~580℃控溫范圍,,同時滿足沉積氮化硅膜和退火工藝要求,;

采用全套倍??刂葡到y(tǒng),自動化程度高( 提供MES接口,、遠程監(jiān)控等功能),;

全自動上下舟系統(tǒng),一鍵全自動工藝和完善的保護報警功能,;

送料機構(gòu)強度,、精度、速度,、穩(wěn)定性大幅優(yōu)于同類產(chǎn)品,。

基本參數(shù)

成膜種類

氮化硅

裝片量與產(chǎn)能

416 片/批(156x156mm 方片),單臺5管產(chǎn)能≥3600/小時,;

在線時間

98%,;

設(shè)備功率

峰值功率280KW,平均功率≤70KW,;

設(shè)備尺寸

7400mm(不含真空泵)×2110mm×3530mmL×W×H),;

成膜質(zhì)量參數(shù)

成膜均勻性

片內(nèi)≤4%、片間≤3%,、批間≤3%(膜厚80120nm),;

折射率均勻性

片內(nèi)≤1.5%、片間≤1.5%,、批間≤1.5%(折射率22.2),;

溫控系統(tǒng)參數(shù)

恒溫區(qū)長度及精度

≤±1/1600mm 450℃時);

溫度控制范圍

200~580℃,;

溫度控制方式

五段雙回路溫度控制,;

真空系統(tǒng)參數(shù)

壓力控制

高精度VAT閥控制,控壓范圍220±40Pa,;

石墨舟傳輸系統(tǒng)參數(shù)

石墨舟上料方式

全自動機械手上下舟,,在線式/離線式對接插片機可選;

控制系統(tǒng)參數(shù)

推舟機構(gòu)

水平速度1~12000mm/min可調(diào),,垂直速度1~150mm/min可調(diào),,承重≥40KG

控制方式

高性能工控計算機全自動控制工藝過程,,并對工藝參數(shù)和工藝流程實時監(jiān)控,;

基本參數(shù)

在線時間

98%

設(shè)備功率

峰值功率280KW,,平均功率≤70KW,;

設(shè)備尺寸

7400mm(不含真空泵)×2110mm×3530mmL×W×H);


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售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價比

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