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SiC外延爐
SiC外延爐

參考價格

面議

型號

SiC外延爐

品牌

電子科技

產(chǎn)地

湖南

樣本

暫無
中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

高級會員

|

第1年

|

生產(chǎn)商

工商已核實

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核心參數(shù)
  • 非金屬電熱元件:

    其他
  • 金屬電熱元件:

    其他
  • 燒結(jié)氣氛:

    其他
  • 溫控精度:

    ±1℃
  • 最高溫度:

    1700℃
  • 額定溫度:

    -
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      1.晶片尺寸:4”~6”,;
  2.**溫度:1700℃,;
  3.控溫精度:±1℃;
  4.極限真空:優(yōu)于3Pa,;
  5.壓力穩(wěn)定性:100~1000mbar,;
  6.反應(yīng)室漏氣率:1E-10Pa·m3/S
  7.工藝氣體:SiH4、C3H8,、N2,、TMAl ;
  8.載氣:Ar,、H2 ,。

      1.內(nèi)置式電磁感應(yīng)加熱,升降溫速度快
  2.基片氣浮行星旋轉(zhuǎn)運動,,溫度,、外延膜均勻性好
  3.三層水平層流送氣,氣流均勻性好
  4.噴淋頭水冷,,預(yù)反應(yīng)小
  5.手套箱裝取片 ,,反應(yīng)室內(nèi)潔凈度高

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產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價比

10分
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