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**,、產(chǎn)品簡介：
韓國CTS公司的AP200型CMP拋光機是一款科研級的CMP系統(tǒng)，采用CTS公司工業(yè)級的設計理念,，為科研工作者及先進制程開發(fā)公司提供了一套研究級別的高端設備,，可兼容4寸，6寸,，8寸樣品,。
第二、產(chǎn)品主要特色：
1,、CMP拋光頭：采用氣囊加載模式,，核心區(qū)，邊緣區(qū),，保持環(huán)三區(qū)壓力控制,，可得到良好的工業(yè)級拋光效果；
2,、自動上下片,，自動拋光，干進濕出,；
3,、拋光墊修整器：擺臂式設計,，由10個傳感器分別控制10個區(qū)域的下壓力，可保證拋光墊高水平修整,；
4,、拋光墊修整器：具有在線修整與離線修整兩種模式；
5,，工藝數(shù)據(jù)可實時監(jiān)測,；
6、可存儲多個Recipe.
第三,、核心技術參數(shù)：
拋光頭 | 兼容4寸,，6寸，8寸 |
拋光頭擺動范圍 | ±15mm |
拋光頭轉速 | 0 -200 rpm |
拋光頭加壓方式 | 氣囊柔性加壓背壓功能（3區(qū)加壓） |
拋光頭壓力范圍 | 0.14-14 psi |
拋光盤尺寸 | 20英寸 |
拋光盤轉速 | 0 -200 rpm |
蠕動泵 | 2個 |
拋光液流速 | 20-500 cc/min |
拋光墊修整器分區(qū) | 10區(qū) |
拋光墊修整器在線掃描速度 | 10sweeps/min |
拋光墊修整器下壓力 | 3-20lbs |
拋光墊修整器轉速 | 0-150rpm |
CMP后片內(nèi)非均勻性WIWNU 1sigma,，去邊5mm | <5% |
CMP后片間非均勻性WTWNU 1sigma,，去邊5mm | <3% |
儀器尺寸 | 1000×2030×2100(W x L x H， mm) |
冷卻系統(tǒng) | 可選 |
四,，應用實例：
?CMP工藝 Si CMP,， 氧化物 CMP(BPSG， TEOS,， ThOx),， 金屬 CMP(W， Cu),， 介質(zhì)膜,，STI等
?工藝開發(fā) 可協(xié)助客戶進行各類材料/薄膜等的CMP工藝技術開發(fā)
暫無數(shù)據(jù)！
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