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反射高能電子衍射儀是MBE制程的一部分,。在薄膜沉積過程中,，RHEED給客戶提供了重要的信息。

首先,，RHEED圖像表征樣品表面的狀態(tài),。

其次，其強(qiáng)度震蕩可以提供生長速率的量化數(shù)據(jù),。

RHEED提供了清晰的焦點(diǎn),，以及衍射圖樣，并能夠在屏幕上高亮度顯示,。

電子光學(xué)部件有磁性保護(hù)罩,，便于提高操作性。

可選部件：RHEED圖像分析硬件和軟件系統(tǒng),，可以實(shí)時獲取RHEED圖樣，使用戶便于觀察和控制薄膜生長質(zhì)量,。完整的RHEED系統(tǒng)包括 10KeV RHEED電子束源,，電源及配套光纜。

技術(shù)參數(shù)：

RHEED Electron Source

2.75"和4" 法蘭

RHEED Power Supply

RHEED Image Analysis Software

高分辨CCD 或相機(jī)

實(shí)時分析

2D/3D分析

RHEED Optional Components

主要特點(diǎn)：

實(shí)時檢測外延生長

測量薄膜生長速率

單晶薄膜的生中速率測量

光學(xué)部件帶有磁性罩