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脈沖激光分子束外延設(shè)備/Laser MBE
脈沖激光分子束外延設(shè)備/Laser MBE

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美國(guó)SVT Laser MBE

Laser MBE具備PLD和傳統(tǒng)MBE的特性,,可對(duì)薄膜的生長(zhǎng)速率進(jìn)行精確(原子層級(jí)別)控制,。通過(guò)在MBE系統(tǒng)上增加激光燒蝕工藝,系統(tǒng)可以生長(zhǎng)包括高熔點(diǎn)陶瓷以及多元素固體材料等,。SVT有18年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗(yàn),,我們擅于通過(guò)原位的監(jiān)控測(cè)量?jī)x器來(lái)提高薄膜生長(zhǎng)的質(zhì)量。其中原位測(cè)量?jī)x器包括:溫度測(cè)量,、厚度測(cè)量,、RHEED、束流監(jiān)控等,。如果您想了解更多這方面的信息,,

應(yīng)用:

可用于研究氧化物半導(dǎo)體, 高溫超導(dǎo)材料,,光學(xué)晶體,,電光學(xué)薄膜,鐵電以及鐵磁材料等。

標(biāo)準(zhǔn)性能:

  • 超高真空(本底壓強(qiáng)<1E-10 Torr),;

  • 多種生長(zhǎng)模式的源集成,,包括:

    • RF等離子體

    • 蒸發(fā)源

    • 電子束蒸發(fā)

    • 臭氧傳送系統(tǒng)

  • 先進(jìn)的原位監(jiān)控儀(可選)

  • 原子吸收束流監(jiān)控儀

  • RHEED

  • 溫度以及厚度監(jiān)控儀

  • 6個(gè)可旋轉(zhuǎn)PLD靶

  • 高功率準(zhǔn)分子激光器

  • 提供合適的泵抽組合

  • 多種腔室配置以滿(mǎn)足您的需求

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脈沖激光分子束外延設(shè)備/Laser MBE信息由美國(guó)SVTA公司中國(guó)辦事處為您提供,如您想了解更多關(guān)于脈沖激光分子束外延設(shè)備/Laser MBE報(bào)價(jià),、型號(hào),、參數(shù)等信息,歡迎來(lái)電或留言咨詢(xún),。
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