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氮化鎵（GaN）MOCVD系統(tǒng)品牌
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GaN 6寸/8寸外延爐
EPIREVO G8是日本株式會(huì)社東芝的子公司紐富萊（NuFlare）的主要產(chǎn)品之一。
EPIREVO G8通過(guò)在在200㎜Si襯底上高質(zhì)量的高速成膜,，
從而降低功率器件和RF器件成本的MOCVD裝置,，為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出貢獻(xiàn)。
高生產(chǎn)性
GaN膜能夠達(dá)到9μm/hour以上的高速生長(zhǎng)
能夠達(dá)到200℃/minute以上的高速升溫
高品質(zhì)
200mm晶片面內(nèi)2度以內(nèi)的**溫度分布
低成本
TMG可以達(dá)到20%以上的高利用率
In-Situ清潔功能帶來(lái)的高生產(chǎn)效率
暫無(wú)數(shù)據(jù),！
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