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●該設(shè)備用于納米級單層或多層膜、類金剛石薄膜,、金屬膜,、導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜和非導(dǎo)電膜等功能薄膜的制備,，可實(shí)現(xiàn)共濺射,，直流、射頻兼容,，適于科研院所和企業(yè)進(jìn)行功能薄膜研發(fā),、教學(xué)和新產(chǎn)品開發(fā)，同時(shí)可在微米級粉末或顆粒上沉積薄膜進(jìn)而達(dá)到表面改性的功能,。建議選用公Research系列磁控濺射平臺,。

●主體結(jié)構(gòu)：全封閉框架結(jié)構(gòu)，機(jī)柜和主機(jī)為分體式機(jī)構(gòu),。

●極限真空度：≤６.６３×10－5Pa,，壓升率優(yōu)于國家標(biāo)準(zhǔn)。    

●真空配置：高速直聯(lián)旋片泵一臺,，配置尾氣處理裝置,，超高分子泵一臺。

●真空測量：兩路電阻規(guī),，一路電離規(guī),；電阻規(guī)和電離規(guī)均采用防爆型金屬封結(jié)真空規(guī)。