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●該設(shè)備用于納米級(jí)單層或多層膜,、類金剛石薄膜,、金屬膜、導(dǎo)電膜,、半導(dǎo)體膜和非導(dǎo)電膜等功能薄膜的制備,，可實(shí)現(xiàn)共濺射，直流,、射頻兼容,，特別適于科研院所和企業(yè)進(jìn)行功能薄膜研發(fā)、教學(xué)和新產(chǎn)品開發(fā),，同時(shí)可在微米級(jí)粉末或顆粒上沉積薄膜進(jìn)而達(dá)到表面改性的功能,。是替代鐘罩式磁控濺射的理想選擇。

●主體結(jié)構(gòu)：全封閉框架結(jié)構(gòu),，機(jī)柜和主機(jī)為一體式機(jī)構(gòu),。

●極限真空度：≤６.６３×10－5Pa，壓升率優(yōu)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),。   

●真空配置：高速直聯(lián)旋片泵一臺(tái),，配置尾氣處理裝置，超高分子泵一臺(tái),。

●真空測(cè)量：兩路電阻規(guī),，一路電離規(guī)；電阻規(guī)和電離規(guī)均采用防爆型金屬封結(jié)真空規(guī),。

●工件架系統(tǒng)：行星工件盤與公轉(zhuǎn)工件盤可選,，垂直濺射與共濺射兼容，可配置１個(gè)加熱臺(tái),，采用PID控制可烘烤加熱到700℃,。

●磁控濺射系統(tǒng)：配置３個(gè)Φ50mm可折疊磁控靶（可擴(kuò)展至4靶機(jī)構(gòu)），向上濺射成膜,；靶基距可調(diào),；靶內(nèi)均通入冷卻水冷卻。

●電源：2套直流電源,；1套全固態(tài)射頻電源,；一套200W直流偏壓電源。

●充氣系統(tǒng)：配置三路供氣,，二路分別配置質(zhì)量流量控制器,，線性±0.5 % F.S,，重復(fù)精度±0.2% F.S，0-5V輸出,，在觸摸屏上設(shè)置流量,。

●電氣控制系統(tǒng)：采用功能化模塊設(shè)計(jì)，匹配西門子人機(jī)界面+西門子控制單元,，濺射時(shí)間可以設(shè)定并倒計(jì)時(shí),，能夠根據(jù)工藝需求自動(dòng)濺射。

●特別說明：根據(jù)用戶不同的工況和工藝要求,，公司愿與客戶聯(lián)合研發(fā),，共享知識(shí)產(chǎn)權(quán)，公司致力于工藝與設(shè)備的**匹配,，該設(shè)備為公司與電子科技大學(xué)聯(lián)合研發(fā),。