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霍爾效應測試儀
霍爾效應測試儀,,是用于測量半導體材料的載流子濃度,、遷移率、電阻率,、霍爾系數等重要參數,,而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的,因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具,。
Hall8800霍爾效應測試儀介紹
該儀器為性能穩(wěn)定,、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,,在國內高校,、研究所及半導體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知名度。
主要用于量測電子材料之重要特性參數,,如載流子濃度,、遷移率、電阻率,、霍爾系數等,,薄膜或體材料均可,其原理主要依據范德堡法則
儀器輕巧方便,易于攜帶,,主要用于量測電子材料之重要特性參數,,如載流子濃度、遷移率,、電阻率,、霍爾系數等,薄膜或體材料均可,,其原理主要依據范德堡法則,。
除了用來判斷半導體材料之型態(tài)(n或p)以外,它也可應用于LED磊晶層的質量判定,,也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成,,此未還可以用于太陽能電池片的制程輔助。
Hall8800可說是一套功能強大,、應用廣泛的系統(tǒng),,再加上平實的價格, 相信必能受到各界用戶之肯定與愛用,。
目前廣泛應有于半導體廠商,。
主要特點
1、高精密度電流源
輸出電流之精確度可達2nA,,如此微小之電流可用于半絕緣材料之量測,,即高電阻值材料之量測。
2,、高精密度電表
使用超高精度電表,,電壓量測能力可達nV等級,上限可達300V,,極適合用于量測低電阻值材料,。
3、外型精簡,、操作簡單
外型輕巧,、美觀大方,磁鐵組之極性更換也很靈活容易,,獨特之液氮容器設計,,可確保低溫量測之穩(wěn)定性**。
4,、I-V曲線
采用圖表的方式,,測量探針四點(A、B,、C,、D)間電流-電壓曲線,,藉此評判樣品的歐姆接觸好壞。
5,、單純好用之操作畫面
使用者只需在同一張操作畫面中,,就可以完成所有的設定,實驗結果由軟件自動計算得到,,并在同一張畫面中顯示出來,,省卻畫面切換的麻煩,結果可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration),、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration),、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity),、霍爾系數(Hall Coefficient),、等重要實驗數據。
6,、自行開發(fā)之彈簧樣品夾具,,特殊設計之彈簧探針,其強度加強可改善探針與接觸點之電氣接觸,,提高量測之可靠度,。
技術參數
磁場強度:0.65T/1T;
常溫和液氮溫度(77K)下測量;
輸出電流:2nA-100mA;
遷移率(cm2/Volt-sec):1-107
阻抗:10-6 to 107
載流子濃度(cm-3):107 - 1021
樣品夾具:
Hall8800彈簧樣品夾具(免去制作霍爾樣品的麻煩);
測量材料:所有半導體材料包括Si,,ZnO,,SiGe,SiC,,GaAs,InGaAs,,InP,,GaN(N型&P型均可測量)
儀器尺寸(WxDxH):260*220*180 mm
儀器重量:6kg
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