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Low-K開槽裝備品牌
通用智能產(chǎn)地
河南樣本
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HGL1151系列是集成了通用智能核心技術的半導體晶圓Low-K層開槽設備，全自動一站式加工,，晶圓上料→預清洗+保護層涂布→激光開槽→后清洗+干燥→晶圓下料,，所有工藝過程一氣呵成。產(chǎn)品全系采用高性能激光器及空間光整形系統(tǒng),，標配超高精密氣浮式高速加工平臺,，切割過程實時監(jiān)控··實時糾偏等功能，確保Low-K晶圓開槽的精度一致性和質量的穩(wěn)定性,。本產(chǎn)品的開槽精度高,，槽形優(yōu)異,，尤其對熱影響區(qū)的控制達到國際**水準。主要技術性能達到國內**,，部分技術性能超過國際同類產(chǎn)品,，是全面替代進口開槽設備的**選擇。
Low-K激光開槽工藝優(yōu)勢
? 非接觸加工,、無物理應力,、無晶圓碎裂風險
? 通過動態(tài)激光實時控制，工藝設置簡單靈活
①自由改變開槽寬度
②自由設置槽底平滑度
? 運用方便,，運用成本低
①一次定位,、一次清洗，
②工藝過程清潔
③無環(huán)境污染
④基本無耗材,，運用成本極低
技術原理
? 運用高性能空間光整形技術按需調制輸出激光形態(tài)
①切割道兩側以極細的雙光束刻畫出邊界細槽
②以平頂多光束激光在邊界槽內側切割道開槽
? 運用高性能實時動態(tài)激光控制技術確保開槽精度
①實時控制激光束對槽壁垂直度的加工精度
②實時控制激光束對槽底平整度的加工精度
? 超快速脈沖激光束對Low-K材料進行精確去除
? 開槽周邊熱影響區(qū)控制在5μm以內
Low-K材料開槽工藝制程
? Low-k（低介電常數(shù)）材料是線寬制程低于 65nm 以下的高性能集成電路所必須的絕緣材料
? Low-K 材料機械特性脆弱，易碎
? Low-K 材料與 Si 系材料的附著力低,，易剝離易分層
? 帶有 Low-K 層的半導體晶圓無法承受傳統(tǒng)刀輪切割的機械沖擊帶有 Low-K 材料的晶圓在切割前,，需導入 Low-K 開槽工藝，以避免后續(xù)切割制程對 Low-K 材料層造成傷害
暫無數(shù)據(jù),！
Low-K開槽裝備的工作原理介紹,？Low-K開槽裝備的使用方法,？Low-K開槽裝備多少錢一臺？Low-K開槽裝備使用的注意事項Low-K開槽裝備的說明書有嗎,？Low-K開槽裝備的操作規(guī)程有嗎,？Low-K開槽裝備的報價含票含運費嗎？Low-K開槽裝備有現(xiàn)貨嗎,？Low-K開槽裝備包安裝嗎,？
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