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Low-K開(kāi)槽裝備品牌
通用智能產(chǎn)地
河南樣本
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HGL1151系列是集成了通用智能核心技術(shù)的半導(dǎo)體晶圓Low-K層開(kāi)槽設(shè)備,，全自動(dòng)一站式加工,，晶圓上料→預(yù)清洗+保護(hù)層涂布→激光開(kāi)槽→后清洗+干燥→晶圓下料，所有工藝過(guò)程一氣呵成,。產(chǎn)品全系采用高性能激光器及空間光整形系統(tǒng),，標(biāo)配超高精密氣浮式高速加工平臺(tái)，切割過(guò)程實(shí)時(shí)監(jiān)控··實(shí)時(shí)糾偏等功能,，確保Low-K晶圓開(kāi)槽的精度一致性和質(zhì)量的穩(wěn)定性,。本產(chǎn)品的開(kāi)槽精度高，槽形優(yōu)異,，尤其對(duì)熱影響區(qū)的控制達(dá)到國(guó)際**水準(zhǔn),。主要技術(shù)性能達(dá)到國(guó)內(nèi)**,，部分技術(shù)性能超過(guò)國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品，是全面替代進(jìn)口開(kāi)槽設(shè)備的**選擇,。
Low-K激光開(kāi)槽工藝優(yōu)勢(shì)
? 非接觸加工,、無(wú)物理應(yīng)力、無(wú)晶圓碎裂風(fēng)險(xiǎn)
? 通過(guò)動(dòng)態(tài)激光實(shí)時(shí)控制,，工藝設(shè)置簡(jiǎn)單靈活
①自由改變開(kāi)槽寬度
②自由設(shè)置槽底平滑度
? 運(yùn)用方便,，運(yùn)用成本低
①一次定位、一次清洗,，
②工藝過(guò)程清潔
③無(wú)環(huán)境污染
④基本無(wú)耗材,，運(yùn)用成本極低
技術(shù)原理
? 運(yùn)用高性能空間光整形技術(shù)按需調(diào)制輸出激光形態(tài)
①切割道兩側(cè)以極細(xì)的雙光束刻畫(huà)出邊界細(xì)槽
②以平頂多光束激光在邊界槽內(nèi)側(cè)切割道開(kāi)槽
? 運(yùn)用高性能實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)激光控制技術(shù)確保開(kāi)槽精度
①實(shí)時(shí)控制激光束對(duì)槽壁垂直度的加工精度
②實(shí)時(shí)控制激光束對(duì)槽底平整度的加工精度
? 超快速脈沖激光束對(duì)Low-K材料進(jìn)行精確去除
? 開(kāi)槽周邊熱影響區(qū)控制在5μm以?xún)?nèi)
Low-K材料開(kāi)槽工藝制程
? Low-k（低介電常數(shù)）材料是線(xiàn)寬制程低于 65nm 以下的高性能集成電路所必須的絕緣材料
? Low-K 材料機(jī)械特性脆弱，易碎
? Low-K 材料與 Si 系材料的附著力低,，易剝離易分層
? 帶有 Low-K 層的半導(dǎo)體晶圓無(wú)法承受傳統(tǒng)刀輪切割的機(jī)械沖擊帶有 Low-K 材料的晶圓在切割前,，需導(dǎo)入 Low-K 開(kāi)槽工藝，以避免后續(xù)切割制程對(duì) Low-K 材料層造成傷害
暫無(wú)數(shù)據(jù),！
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