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由于LTPS TFT具有高電子遷移率,，從而得到快速應答。雖然電耗比具有低漏泄電流的Oxide TFT大,，但一直應用于消耗大部分電力的智能手機OLED顯示領域,。
但*近在提高移動和在穿戴設備的能效上有了新的技術，LTPO (Low Temperature Polycrystalline Oxide) TFT,，此技術是電子高遷移率的LTPS TFT和低漏泄電流的Oxide TFT合成技術,。在這個TFT中，Switching TFT 需要快速ON/OFF光線,，使用了低漏泄電流的Oxide TFT,。而Operating TFT需要通過調節(jié)光量進行快速畫面切換，所以使用了具有高電子遷移率的LTPS TFT.
智能手表主要使用黑色背景,，由于Switching的電耗比較高,，采用LTPO TFT可降低約40%的電耗。因此,，包括蘋果在內的眾多智能設備制造商正在應用或即將應用LTPO. 另外,，由于這種低電耗的優(yōu)勢，*近三星和蘋果等智能手機制造商正在積極開發(fā),，目標是將LTPO顯示屏搭載到高端智能手機上,。
Oxide TFT中使用的IGZO薄膜仍在以Sputtering方式沉積，但厚度和成分均勻度的問題,，等離子體損傷導致物理電器特性降低以及濺射目標均勻度的問題,。但是，當應用 ALD-IGZO時,，可以在低溫度工藝下控制原子單位的厚度和組成,，因為工藝過程中沒有等離子體損傷，因此可以實現(xiàn)高質量的薄膜沉積,。
通過用Thermal ALD的方法控制ALD循環(huán)比例,，可以獲得目標IGZO的原子組成(In:Ga:Zn)的薄膜。因此,，這種方式能夠輕松的調節(jié)適合客戶元件結構IGZO的組成,。從而獲得優(yōu)于濺射方式的元件特性。
研發(fā)IGZO工藝用高生產(chǎn)率配置ALD系統(tǒng)，該系統(tǒng)采用新的技術,，將多元系氧化物IGZO的組成比控制在個別應用領域元件所需的組合比,。特別是 GD Series的應用，可在多個大面積基板上沉積ALD,，有望在目前迅速應用IGZO薄膜的LTPO TFT s元件中提供質量競爭力和高生產(chǎn)率,。
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