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RIE,，全稱是Reactive Ion Etching，反應離子刻蝕,，是一種微電子干法腐蝕工藝,。

RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF,，radio frequency）時會產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ion sheath）,，在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學反應蝕刻,，此即為RIE（Reactive Ion Etching）,。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面，經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞,，而直接向試樣撞擊,。為達到此目的，必須對真空度,，氣體流量,，離子加速電壓等進行**調(diào)整，同時,，為得到高密度的等離子體,，需用磁控管施加磁場，以提高加工能力,。

我司提供多型號的RIE刻蝕系統(tǒng),，滿足國內(nèi)客戶研究和生產(chǎn)的需要。

RIE 反應離子蝕刻設備參數(shù):

1.鋁材腔體或不銹鋼腔體,；

2.不銹鋼盒,；

3.可以刻蝕硅化物(~400 A/min)或金屬；

典型硅刻蝕速率 400 A/min,；

4.射頻源: **12”陽極化射頻平板(RF),；

5.真空度:大約20分鐘內(nèi)達到1E-6Torr，極限真空5E-7Torr,；

6.雙刻蝕容量：RIE和等離子刻蝕,；

7.氣動升降蓋；

8.手動/全自動裝卸樣品,；

9.預抽真空室,；

10.電腦控制

11.選配ICP源和平臺的低溫冷卻實現(xiàn)深硅刻蝕。

反應離子蝕刻系統(tǒng)可選配：

1. **700W的高密度等離子源進行各向同性蝕刻(isotropic etching),；

2. ICP等離子源,，2KW射頻電源及調(diào)諧器；

3. 低溫基底冷卻(Cryogenic substrate cooling),；

4. 終點探測(End point detection) ,；

5. 蘭繆爾探針；

6. 靜電卡盤(Electrostatic chuck),；

7. 附加MFC’s,；

8. 1KW射頻電流源及調(diào)諧器；

9. 低頻電流源及調(diào)諧器；

深反應離子蝕刻系統(tǒng)(Deep Reactive Ion Etching System)

RE系列反應離子蝕刻系統(tǒng)帶有淋浴頭式樣的氣體分配系統(tǒng)及水冷射頻壓盤,，柜體為不銹鋼材質(zhì),。反應腔體為13英寸鋁制、從頂端打開方便晶片裝載取出,，**可進行8英寸直徑樣品實驗,，帶有兩個艙門：一個艙門帶有2英寸視窗，另一個艙門用于終點探測及其他診斷,。腔體可達到10^-6 Torr壓力或更高,，自直流偏置連續(xù)監(jiān)控、**可達到500伏偏電壓(各向異性蝕刻),。該反應離子蝕刻系統(tǒng)為完全由計算機控制的全自動設備,。

DRIE系列深反應離子蝕刻系統(tǒng)帶有低溫晶片冷卻及偏置壓盤，設備使用2kw 8英寸ICP源,，使用500L/秒的渦輪泵,，在10^-3Torr壓力范圍運行。