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自動化工業(yè)級原子力顯微鏡,，帶來線上晶片檢查和測量

Park Systems推出業(yè)內(nèi)噪聲*低的全自動化工業(yè)級原子力顯微鏡——XE-Wafer。該自動化原子力顯微鏡系統(tǒng)旨在為全天候生產(chǎn)線上的亞米級晶體（尺寸200 mm和300 mm）提供線上高分辨率表面粗糙度,、溝槽寬度,、深度和角度測量。借助True Non-Contact™模式,，即便是在結構柔軟的樣品,，例如光刻膠溝槽表面，XE-Wafer可以實現(xiàn)無損測量,。

現(xiàn)有問題

目前,，硬盤和半導體業(yè)的工藝工程師使用成本高昂的聚焦離子束(FIB)/掃瞄式電子顯微鏡(SEM)獲取納米級的表面粗糙度、側壁角度和高度,。不幸的是,，F(xiàn)IB/SEM會破壞樣品,，且速度慢，成本高昂,。

解決方案

NX-Wafer原子力顯微鏡實現(xiàn)全自動化的在線200 mm & 300 mm晶體表面粗糙度,、深度和角度測量，且速度快,、精度高,、成本低。

益處

NX-Wafer讓無損線上成像成為可能,，并實現(xiàn)多位置的直接可重復高分辨率測量,。更高的精確度和線寬粗糙度監(jiān)控能力讓工藝工程師得以制造性能更高的儀器，且成本顯著低于FIB/SEM,。

* 應用

串擾消除實現(xiàn)無偽影測量

· 獨特的解耦XY軸掃描系統(tǒng)提供平滑的掃描平臺

· 平滑的線性XY軸掃描將偽影從背景曲率中消除

· 精確的特征特亮和行業(yè)**的儀表統(tǒng)計功能

· **的工具匹配

CD(臨界尺寸)測量

出眾的精確且精密納米測量在提高效率的同時,，也為重復性與再現(xiàn)性研究帶來**的分辨率和*低的儀表西格瑪值。

* 精密的納米測量

媒介和基體亞納米粗糙度測量

憑借行業(yè)*低的噪聲和創(chuàng)新的True Non-Contact^TM模式,，XE-Wafer在*平滑的媒介和基體樣品上實現(xiàn)*精確的粗糙度測量,。

精確的角度測量

Z軸掃描正交性的高精度校正讓角度測量時精確度小于0.1度。

溝槽測量

獨有的True Non-Contact模式能夠線上無損測量小至45 nm的腐蝕細節(jié),。

精確的硅通孔化學機械研磨輪廓測量

借助低系統(tǒng)噪聲和平滑輪廓掃描功能,，Park Systems實現(xiàn)了****的硅通孔化學機械研磨(TSV CMP)輪廓測量。

* Park NX-Wafer特點

全自動圖形識別

借助強大的高分辨率數(shù)字CCD鏡頭和圖形識別軟件,，Park NX-Wafer讓全自動圖形識別和對準成為可能,。

自動測量控制

自動化軟件讓NX-Wafer的操作不費吹灰之力。測量程序針對懸臂調(diào)諧,、掃描速率,、增益和點參數(shù)進行優(yōu)化，為您提供多位置分析,。

真正非接觸模式和更長的探針使用壽命

得益于**的高強度Z軸掃描系統(tǒng),，XE系列原子力顯微鏡讓真正非接觸模式成為可能。真正非接觸模式借助了原子間的相互吸引力,，而非相互排斥力,。

因此，在真正非接觸模式下,，探針與樣品間的距離可以保持在幾納米,，從而蓋上原子力顯微鏡的圖像質(zhì)量，保證探針尖端的鋒利度,，延長使用壽命。

解耦的柔性XY軸與Z軸掃描器

Z軸掃描器與XY軸掃描器完全解耦,。XY軸掃描器在水平面移動樣品,，而Z軸掃描器則在垂直方向移動探針,。該設置可實現(xiàn)平滑的XY軸測量，讓平面外移動降到*低,。此外,，XY軸掃描的正交性和線性也極為出色。

行業(yè)*低的本底噪聲

為了檢測*小的樣品特征和成像*平的表面,，Park推出行業(yè)本底噪聲*低（< 0.5?）的顯微鏡,。本底噪聲是在“零掃描”情況下確定的。當懸臂與樣品表面接觸時,，在如下情況下測量系統(tǒng)噪聲：

·0 nm x 0 nm掃描范圍,，停在一個點

·0.5增益，接觸模式

·256 x 256像素

* 選項

高通量自動化

自動探針更換(ATX)

借助自動探針更換功能,，自動測量程序能夠無縫銜接,。該系統(tǒng)會根據(jù)參考圖形測量數(shù)據(jù)，自動校正懸臂的位置和優(yōu)化測量設定,。創(chuàng)新的磁性探針更換功能,，成功率高達99%，高于傳統(tǒng)的真空技術,。

設備前端模塊(EFEM)實現(xiàn)自動晶體處理

您可以為NX-Wafer加裝自動晶片裝卸器(EFEM或FOUP或其他),。高精度無損晶片裝卸機械臂能夠百分百保證XE-Wafer用戶享受到快速且穩(wěn)定的自動化晶片測量服務。

長距離移動平臺,，助力化學機械研磨輪廓掃描

該平臺帶有專有的用戶界面,，可支持自動化學機械研磨輪廓掃描和分析。平面外運動(OPM)在樣品為5 mm時小于2 nm,；10 mm時小于5 nm,；50 mm時小于100 nm

離子化系統(tǒng)

離子化系統(tǒng)可有效地消除靜電電荷。由于系統(tǒng)隨時可生產(chǎn)和位置正離子和負離子之間的理想平衡,，便可以穩(wěn)定地離子化帶電物體,，且不會污染周邊區(qū)域。它也可以消除樣品處理過程中意外生成的靜電電荷,。