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等離子處理系統(tǒng)

PlasmaSTAR® 100/200

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)適合處理所有的材料,。 PlasmaSTAR®系統(tǒng)擁有多種腔室和電極配置,，可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。其中較典型的等離子處理工藝包括：

? 等離子預(yù)處理

? 光刻膠去膠

? 表面處理

? 各向異性和各向同性蝕刻

? 故障分析應(yīng)用

? 材料改性

? 封裝清洗

? 鈍化層刻蝕

? 聚酰胺刻蝕

? 促進(jìn)粘合

? 生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用

? 聚合反應(yīng)

? 混合清洗

? 預(yù)鍵合清洗

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)設(shè)計(jì)獨(dú)特且多樣化,。其功能包括用于操作臺(tái)面上,，占地面積小，或?qū)恿靼惭b,，以及用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置,。此外，觸摸屏計(jì)算機(jī)控制,，多級(jí)程序控制和組件控制,，操作簡(jiǎn)單。

PlasmaSTAR®系列等離子處理系統(tǒng)用于研究,、工藝開(kāi)發(fā)和批量生產(chǎn),。 PlasmaSTAR®系統(tǒng)可輕松集成到自動(dòng)化生產(chǎn)線和系統(tǒng)中。

該系統(tǒng)基于模塊化設(shè)計(jì)理念,，可適應(yīng)各種PCB的尺寸,。此設(shè)計(jì)適用于任何尺寸的基片。

PlasmaSTAR®系統(tǒng)提供多個(gè)電極模塊,，如LF（KHz）或13.56（MHz）的射頻電源以及自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò),。根據(jù)不同的等離子處理工藝選擇不同的電極模塊。

基本系統(tǒng)

PlasmaSTAR®通用基本系統(tǒng)包括必需的閥門(mén),、真空泵浦,、射頻電源、射頻匹配器,、工藝氣體控制和系統(tǒng)控制,。這些配置組合提供了一套全自動(dòng)化等離子處理系統(tǒng)。通用基本系統(tǒng)可容納不同的腔室和電極模塊,，這些模塊可輕松放入其中,。該系統(tǒng)可快速?gòu)囊豢钇胀ǖ膱A柱形等離子體處理系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為一款用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極系統(tǒng)或是帶支架的混合等離子清洗系統(tǒng)。

腔室/電極

PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統(tǒng)的獨(dú)特功能,。 腔室材料是硬質(zhì)陽(yáng)極氧化鋁,。 有幾種不同的電極設(shè)計(jì)，包括用于反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和平面處理的水冷平板電極,，用于表面清洗或處理的交替托盤(pán)電極,，用于*小化離子損傷的下游電極，和用于普通的圓柱形等離子體處理的籠式電極。

等離子體源

該系統(tǒng)可選配LF（KHz）或13.56（MHz）射頻電源以及自動(dòng)匹配網(wǎng)絡(luò),。

真空泵浦系統(tǒng)

該系統(tǒng)配機(jī)械泵或帶羅茨鼓風(fēng)機(jī)的機(jī)械泵,。根據(jù)所需的真空處理水平，可提供不同尺寸大小的真空泵,。真空泵配有腐蝕性泵油（惰性泵油）,，適用于氧氣或其他腐蝕性化學(xué)應(yīng)用。流量控制器（MFC）的氣體管路是標(biāo)配,。下游壓力控制器是選配,。

電腦控制

觸摸屏電腦控制，提供無(wú)線程序存儲(chǔ),。多步驟工藝簡(jiǎn)單易存,。 實(shí)時(shí)顯示工藝條件。 該控制系統(tǒng)易于編程,。 工藝處理可用條形碼讀?。ㄟx配）。

規(guī)格

PlasmaSTAR® 100的尺寸：800（寬）x 850（深）x 525（高）mm,；重量：約150 Kg。

PlasmaSTAR® 200的尺寸：1,，033（寬）x 850（深）x 635（高）mm,；重量：約 220 Kg。