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MOCVD 金屬有機化學氣相沉積設備品牌
鵬城微納產(chǎn)地
沈陽樣本
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MOCVD 金屬有機化學氣相沉積設備
可用于GaN、ZnO等的外延生長,。
材料的輸運采取了超純的氣路系統(tǒng),，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術。由于組合閥具有極小的死空間,，使得源的殘留量非常少,，有利于生長具有陡峭界面的材料。
采用壓差控制技術控制組合閥的旁路和主路之間的壓力,，大大降低了源的壓力和濃度波動,，有利于材料生長的重復性和穩(wěn)定性。
采用了管道鑲嵌式進氣噴頭,，使反應源在襯底表面均勻混合并反應,，大大降低了預反應的發(fā)生。
采用電阻式快速升降溫加熱爐,。
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