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Orion III等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)
Orion III等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)可適用于單個(gè)基片、碎片或帶承片盤的基片(2”- 300mm尺寸)，為實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)提供先進(jìn)的沉積能力,。
Orion III系統(tǒng)用于非發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物,、氮氧化物,、氮化物和無定形硅。工藝氣體：<20%硅烷,、氨,、TEOS、二乙基硅烷,、氧化亞氮,、氧和氮。
該設(shè)備可選配一個(gè)ICP或三極管（Triode）源,。三極管使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子,，從而控制薄膜應(yīng)力。
通過打開室蓋,，直接將基片裝入工藝室,。