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WEP,ECV PN結(jié)深度測(cè)試儀/擴(kuò)散濃度分布)
WEP,ECV PN結(jié)深度測(cè)試儀/擴(kuò)散濃度分布)

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德國(guó)WEP公司的ECV(型號(hào)為CVP21)在太陽(yáng)能光伏行業(yè)的應(yīng)用非常普及,,市場(chǎng)占有率甚至達(dá)95%以上,是光伏行業(yè)電池技術(shù)研究和發(fā)展的必要工具之一,,幾乎知名的光伏企業(yè)都有使用,。

WEP公司的ECV設(shè)備:CVP21(見(jiàn)圖)

1. ECV又名擴(kuò)散濃度測(cè)試儀,結(jié)深測(cè)試儀等,,即電化學(xué)CV法測(cè)擴(kuò)散后的載流子濃度分布(見(jiàn)圖),;

2. 相比其他方法如SRP,SIMS等,,ECV具有測(cè)量使用方便,,價(jià)格低的優(yōu)點(diǎn);

WEP公司的ECV具有獨(dú)特技術(shù)可應(yīng)用于測(cè)試電池片的絨面樣片,,這也是其被廣泛使用的原因之一,;

4. CVP21所能測(cè)量的深度范圍是nm---10um;

5. 測(cè)量的載流子濃度范圍在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之內(nèi)都無(wú)需校準(zhǔn);

6. 測(cè)量擴(kuò)散樣片時(shí),,樣片是保持“Dry in”和“Dry out”,,并無(wú)需做特別處理;

7. 其所用到的化學(xué)試劑本地就能買到,,價(jià)格低且用量很少買一次可以用好幾年,;

8. 從CVP21所測(cè)得的數(shù)據(jù)能帶給研發(fā)或工藝人員三方面的信息:一是表面濃度,二是濃度變化曲線,,三是結(jié)深(見(jiàn)圖);

9. 表面濃度對(duì)于選擇和使用適合的漿料很有幫助,,如粘合性,,接觸電阻等的匹配問(wèn)題;

10. 濃度分布曲線對(duì)掌握和改進(jìn)擴(kuò)散工藝提供依據(jù),;

11. 結(jié)深的信息對(duì)電池工藝的總體把握來(lái)說(shuō)是必須的,,也是擴(kuò)散工藝時(shí)常需要抽測(cè)的項(xiàng)目之一;

12. 參考:測(cè)試出的幾種擴(kuò)散濃度分布曲線(見(jiàn)圖),;

13. 廣泛的客戶群:Q-CELL,, NREL, ISFH,, SHELL,,ECN,RWE,,HMI,,SISE尚德,天合,晶澳,,英利,,交大泰陽(yáng),BYD,,海潤(rùn),,晶科,吉陽(yáng),,南玻,,格林保爾…

儀器簡(jiǎn)介:電化學(xué)ECV,摻雜濃度檢測(cè)(C-V Profiling)PN結(jié)深測(cè)試

電化學(xué)ECV可以用于太陽(yáng)能電池,、LED等產(chǎn)業(yè),,是化合物半導(dǎo)體材料研究或開(kāi)發(fā)的主要工具之一。電化學(xué)ECV主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開(kāi)發(fā),,其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布,。電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇,。

本設(shè)備適用于在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過(guò)程的性能評(píng)估和過(guò)程控制,,可以測(cè)試多種不同的材料,例如:硅,, 鍺,, III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)讓測(cè)量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),,層)中的摻雜濃度分布變得高效,、準(zhǔn)確。選用合適的電解液與材料接觸,、腐蝕,,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制 ,。

CVP21的系統(tǒng)特點(diǎn):

*堅(jiān)固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) .光學(xué),,電子和化學(xué)部分相對(duì)獨(dú)立.

*精確的測(cè)量電路模塊

*強(qiáng)力的控制軟件,系統(tǒng)操作,,使用簡(jiǎn)便

*完善的售后服務(wù)

提供免費(fèi)樣品測(cè)試并提供測(cè)試報(bào)告,。

保修期:2年,終身維修,。

對(duì)用戶承諾終身免費(fèi)樣品測(cè)試每月1次,。

技術(shù)參數(shù):

我們?cè)陔娀瘜W(xué)方分布測(cè)試產(chǎn)品方面有超過(guò)30年的經(jīng)驗(yàn)和世界上***的電路系統(tǒng)。

全自動(dòng),,特別適用于新材料,,如氮化鎵,,碳化硅材料等?!?

有效檢測(cè): 外延材料,、擴(kuò)散 、離子注入

適用材料: CVP21應(yīng)用范圍寬,,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料,。

IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge),、碳化硅(SiC)等;

III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs),、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;

三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs),、鎵銦磷(GaInP),、鋁銦砷(AlInAs)等;

四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;

氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN),、銦鎵氮(InGaN),、鋁銦氮(AlInN)等;

II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe),、汞鎘碲(HgCdTe)等;

其他不常見(jiàn)半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測(cè)量),。

 

載流子濃度測(cè)量范圍:

*** 1021/cm3; *小 1011/cm3

深度解析度: **無(wú)上限,;*小可至1 nm (或更低)

模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu): 拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu),,實(shí)時(shí)監(jiān)控腐蝕過(guò)程,適于微小樣品及大尺寸的晶圓,,全自動(dòng)化系統(tǒng),。

主要特點(diǎn):

CVP21電化學(xué)ECV是半導(dǎo)體載流子濃度分布**的解決方案:

1, CVP21應(yīng)用范圍寬,,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料,。

* IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge),、碳化硅(SiC)等;

* III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP),、磷化鎵(GaP)等;

* 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs),、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;

* 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;

* 氮化物如:氮化鎵(GaN),、鋁鎵氮(AlGaN),、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;

* II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO),、碲化鎘(CdTe),、汞鎘碲(HgCdTe)等;

* 其他不常見(jiàn)半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測(cè)量)。

2, CVP21可用于不同形態(tài)的樣品:多層結(jié)構(gòu)的薄膜材料,、基底沒(méi)有限制(基底導(dǎo)電或絕緣均可),、標(biāo)準(zhǔn)樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請(qǐng)預(yù)先咨詢我們)。

3,, CVP21擁有很好的分辨率范圍,。

* 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3

* 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質(zhì)量決定)

4,, CVP21是一套完整的電化學(xué)ECV測(cè)量系統(tǒng),。

* 系統(tǒng)可靠性高(儀器的電子、機(jī)械,、光學(xué),、液體傳動(dòng)幾個(gè)主要部分均經(jīng)特殊設(shè)計(jì))

* 免校準(zhǔn)的系統(tǒng)(完全自校準(zhǔn)的電子系統(tǒng),電纜電容均無(wú)須用戶再次校準(zhǔn))

* 易于使用(全用戶管理軟件優(yōu)化,,在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境或生產(chǎn)環(huán)境均易于使用)

* 照相機(jī)鏡頭控制(過(guò)程在線由彩色照相機(jī)鏡頭控制,;每次測(cè)量后,鏡頭數(shù)據(jù)均可取出,。)

* 實(shí)驗(yàn)菜單(測(cè)量菜單預(yù)定義,,優(yōu)先權(quán)用戶可以很容易修改或改進(jìn)測(cè)量菜單)

* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學(xué)樣品池自動(dòng)裝載/卸載/再裝載,優(yōu)先權(quán)用戶易于修改,,進(jìn)行樣品dry-in/dry-out處理,。)

全自動(dòng)電化學(xué)CV分布儀 CVP21光伏太陽(yáng)能領(lǐng)域的**! 眾多科研和半導(dǎo)體領(lǐng)域用戶的的**!

賽倫科技(Saratoga Technology International) 為中國(guó)全自動(dòng)電化學(xué)CV分布儀光伏太陽(yáng)能領(lǐng)域知名代理商!服務(wù)眾多知名光伏企業(yè),!

本設(shè)備適用于評(píng)估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過(guò)程并且以被使用在多種不同的材料上,, 例如:Silicon, Germanium,, III-V including III-Nitrides.

CVP21的凈室和模塊化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得本系統(tǒng)可以高效率,,準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布.選用合適的電解液與材料接觸,,腐蝕,,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制

CVP21的系統(tǒng)特點(diǎn)

- 堅(jiān)固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) .光學(xué),,電子和化學(xué)部分相對(duì)獨(dú)立.

- 精確的測(cè)量電路模塊

- 強(qiáng)力的控制軟件,,系統(tǒng)操作,使用簡(jiǎn)便

- 完善的售后服務(wù)


全自動(dòng),, 特別適用于新材料,, 如氮化鎵, 碳化硅材料,,多晶硅等等,?!?/strong>

有效檢測(cè):

  • - 外延材料

  • - 擴(kuò)散

  • - 離子注入

適用材料:CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料,。

  • IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si),、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…

  • III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs),、磷化銦(InP),、磷化鎵(GaP)等…

  • 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP),、鋁銦砷(AlInAs)等…

  • 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…

  • 氮化物如:氮化鎵(GaN),、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN),、鋁銦氮(AlInN)等…

  • II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO),、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…

  • 其他不常見(jiàn)半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測(cè)量),。

 

載流子濃度測(cè)量范圍:

  • - ** 1021/cm3

    • ?*小 1011/cm3

深度解析度:

  • - **無(wú)上限

  • - *小可至1 nm (或更低)

模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu):

  • - 拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu)

  • - 實(shí)時(shí)監(jiān)控腐蝕過(guò)程

  • - 適于微小樣品及大尺寸的晶圓

全自動(dòng)化系統(tǒng):

- 精密的電路,,電子系統(tǒng)

- 強(qiáng)力的軟件

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WEP,ECV PN結(jié)深度測(cè)試儀/擴(kuò)散濃度分布)信息由賽倫科技為您提供,,如您想了解更多關(guān)于WEP,ECV PN結(jié)深度測(cè)試儀/擴(kuò)散濃度分布)報(bào)價(jià)、型號(hào),、參數(shù)等信息,,歡迎來(lái)電或留言咨詢。
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