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此設(shè)備配備了***的測(cè)試模式

具備印加脈沖寬度為100ns/200ns的normal TLP測(cè)試與寬度到1ns的VF-TLP(Very Fast TLP)測(cè)試模式

有助于驗(yàn)證HBM/CDM模式的測(cè)試

對(duì)于器件管腳的入射波和器件管腳發(fā)出的反射波,，都可在示波器上確認(rèn)到

此數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)保存，并在專(zhuān)用的顯示軟件上表示

專(zhuān)用顯示軟件可對(duì)入射波/反射波的合計(jì)值,，snapback特性以及漏電流測(cè)試的電流值進(jìn)行圖形描繪

被保存的示波器上的數(shù)據(jù)可以進(jìn)行高自由度的演算處理

比如,，對(duì)于不同工藝的晶體管的ON電壓及可以加在保護(hù)電路上的**電流值等,，可以通過(guò)曲線的重疊描繪來(lái)確認(rèn)其差異

并且可以與半自動(dòng)探針臺(tái)連接，實(shí)現(xiàn)TLP測(cè)試的自動(dòng)化

由于可以在Wafer level上進(jìn)行印加管腳間或芯片間的自動(dòng)移位,，所以能夠很大地提升測(cè)試效率