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6吋電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備 UK-T6品牌
蘇州優(yōu)晶產(chǎn)地
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電阻法碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備UK-T6
1,、**解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點(diǎn),，可實(shí)現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內(nèi)部缺陷少,， 良率高,、重復(fù)性好；
2,、與傳統(tǒng)工藝長(zhǎng)達(dá)7-14天的晶體生長(zhǎng)周期相比,，UKING ERH SiC RV4.0設(shè)備晶體生長(zhǎng)速度更快，整個(gè)過(guò)程可控制在7天之內(nèi),；
3,、 自動(dòng)化程度高,，操控簡(jiǎn)單，有利于批量生產(chǎn),，提高晶體生長(zhǎng)效率和穩(wěn)定性,。
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