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MOCVD設(shè)備品牌
鵬城半導(dǎo)體產(chǎn)地
廣東樣本
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MOCVD設(shè)備（化學(xué)氣相沉積CVD）
可用于GaN,、ZnO等的外延生長,。
材料的輸運采取了超純的氣路系統(tǒng)，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術(shù),。由于組合閥具有極小的死空間,，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料,。
采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力,，大大降低了源的壓力和濃度波動，有利于材料生長的重復(fù)性和穩(wěn)定性,。
采用了管道鑲嵌式進氣噴頭,，使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng),，大大降低了預(yù)反應(yīng)的發(fā)生。
采用電阻式快速升降溫加熱爐,。
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