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分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)
分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)

品牌

鵬城半導(dǎo)體

產(chǎn)地

廣東

樣本

暫無(wú)
鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司

會(huì)員

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第2年

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分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備(MBE)(分子束外延MBE)該設(shè)備可以在某些襯底上實(shí)現(xiàn)外延生長(zhǎng)工藝,,實(shí)現(xiàn)分子自組裝,、超晶格、量子阱,、一維納米線等,。可以進(jìn)行第二代半導(dǎo)體和第三代半導(dǎo)體的工藝驗(yàn)證和外延片的生長(zhǎng)制造,。

分子束外延薄膜生長(zhǎng)設(shè)備在薄膜外延生長(zhǎng)時(shí)具有超高的真空環(huán)境,,是在理想的環(huán)境下進(jìn)行薄膜外延生長(zhǎng),它可以排除在薄膜生長(zhǎng)時(shí)的各種干擾因素,,得到理想的高精度薄膜,。
我公司設(shè)計(jì)制造的分子束外延薄膜生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)設(shè)備,分實(shí)驗(yàn)型和生產(chǎn)型兩種 ,,配置合理,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,,操作方便,,技術(shù)先進(jìn),性能可靠,,用途多,,實(shí)用性強(qiáng),價(jià)格相對(duì)較低,,可供各大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室及科研機(jī)構(gòu)作為分子束外延方面的教學(xué)實(shí)驗(yàn),、科學(xué)研究及工藝實(shí)驗(yàn)之用。生產(chǎn)型MBE可用于小批量外延片的制備,。


功能特點(diǎn)

本項(xiàng)目于2005年在國(guó)內(nèi)率先完成了成套MBE的全國(guó)產(chǎn)化研發(fā)設(shè)計(jì)和制造,,做到自主可控。自主設(shè)計(jì)MBE超高真空外延生長(zhǎng)室,、工藝控制系統(tǒng)與軟件,、RHEED原位實(shí)時(shí)在線監(jiān)控儀、直線型電子槍,、高溫束源爐,、束源爐電源、高溫樣品臺(tái),、膜厚儀(可計(jì)量外延生長(zhǎng)的分子層數(shù))等核心部件,。


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