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PECVD設(shè)備品牌
鵬城半導(dǎo)體產(chǎn)地
廣東樣本
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PECVD設(shè)備(等離子體增加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD)主要用于在潔凈真空環(huán)境下進(jìn)行氮化硅和氧化硅的薄膜生長,;采用單頻或雙頻等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù),是沉積高質(zhì)量的氮化硅,、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備,。
設(shè)備用途和功能特點(diǎn)
1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備,,主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜,。
2、設(shè)備保護(hù)功能強(qiáng),,具備真空系統(tǒng)檢測與保護(hù),、水壓檢測與保護(hù)、相序檢測與保護(hù),、溫度檢測與保護(hù),。
3,、配置尾氣處理裝置。
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