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砷化銦InAs或銦單砷化物是由銦和砷組成的半導體,。它具有灰色立方晶體的外觀，熔點為942°C,。砷化銦用于構建紅外探測器,，波長范圍為1-3.8μm。探測器通常是光伏光電二極管,。低溫冷卻探測器具有較低的噪聲,，但InAs探測器也可用于室溫下的高功率應用,。砷化銦也用于制造二極管激光器,。砷化銦類似于砷化鎵,，是一種直接的帶隙材料,。砷化銦有時與磷化銦一起使用,。與砷化鎵合金形成銦鎵砷 – 一種帶隙取決于In / Ga比的材料,，這種方法主要類似于將氮化銦與氮化鎵合金化以產生氮化銦鎵。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知,。它被廣泛用作太赫茲輻射源，因為它是一個強大的光 – 琥珀發(fā)射器,。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”砷化銦單晶片,。
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