參考價(jià)格
面議型號(hào)
砷化鎵外延GaAs Epi品牌
中芯晶研產(chǎn)地
福建樣本
暫無(wú)純度：
-目數(shù)：
-看了砷化鎵外延GaAs Epi的用戶又看了
留言詢價(jià)
虛擬號(hào)將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號(hào)
1. 霍爾元件材料-砷化鎵外延片 (Hall Components – GaAs Epi Wafer)：砷化鎵具有高頻，高溫,，噪聲小,，低溫性能好，抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn),。因而,，基于砷化鎵材料制造的霍爾元件具有更高的穩(wěn)定性和可靠性. 2. 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管AlGaAs、InGaP/GaAs,、InP/InGaAs外延片 (HBT AlGaAs, InGaP/GaAs, InP/InGaAs Epitaxial Wafer)： AlGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)外延片具有良好的晶格匹配,，容易實(shí)現(xiàn)微波與光電器件及其IC； InP/InGaAs異質(zhì)結(jié)外延片的晶格能匹配,，其中InGaAs具有很高的電子遷移率,； InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)外延片不易氧化，具有較大的價(jià)帶不連續(xù)性和較小的導(dǎo)帶不連續(xù)性,，是RF電路設(shè)計(jì)的**,。 3. GaAs、InP基雪崩光電二極管外延片 (APD Epiatxial Wafer)： InGaAs/InP APD外延材料易于生長(zhǎng),，具有高量子效率和低暗電流,。因而與普通光電二極管相比，基于GaAs/InP外延結(jié)構(gòu)的雪崩光電二極管具有靈敏度高,，電流增益大以及頻率響應(yīng)快等特點(diǎn),。 4. 贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管砷化鎵外延片(pHEMT GaAs Epitaxy)：基于GaAs 外延材料的贗配高電子遷移率晶體管 ( PHEMT) 因其高電子遷移率、高電流調(diào)制效率,、低損耗等優(yōu)異性能,，廣泛應(yīng)用于微波和毫米波等頻段。 5. 635nm~2004nm激光GaAs外延片 (635nm~2004nm Laser Diode Epi Wafer)： GaAs基激光二極管外延片通過(guò)MOCVD反應(yīng)器生長(zhǎng),，用于光纖通信,、工業(yè)應(yīng)用、VCSEL,、紅外及光電探測(cè)器等各個(gè)領(lǐng)域
暫無(wú)數(shù)據(jù),！
砷化鎵外延GaAs Epi的工作原理介紹,？砷化鎵外延GaAs Epi的使用方法,？砷化鎵外延GaAs Epi多少錢一臺(tái)？砷化鎵外延GaAs Epi使用的注意事項(xiàng)砷化鎵外延GaAs Epi的說(shuō)明書有嗎,？砷化鎵外延GaAs Epi的操作規(guī)程有嗎,？砷化鎵外延GaAs Epi的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎？砷化鎵外延GaAs Epi有現(xiàn)貨嗎,？砷化鎵外延GaAs Epi包安裝嗎,？
手機(jī)版：
工商已核實(shí)
