日韩av在线高清免费毛片日韩欧美一级成人|女人18以后毛片|国产18女人毛多水多毛片|乱系列人妻视频|中文字幕久久熟女人妻av|91麻豆人妻|校花被我玩弄|父女乱荡|高潮videossex潮喷另类|日本在线观看人妻,黑人侵犯日本人妻,色哟哟视频线在线播放欧美,亚洲欧美国产国产一区第二页

關(guān)于碳化硅（SiC）外延片碳化硅外延片以碳化硅單晶片為襯底，通常采用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法在晶片上沉積一層單晶,，形成外延片,。 其中，碳化硅外延是通過在導(dǎo)電碳化硅襯底上生長碳化硅外延層來制備,，進一步制作成功率器件,。   2. 碳化硅外延片規(guī)格我司可提供4,、6英寸N型4H-SiC外延片。該外延片禁帶寬度大,、飽和電子飄移速度高,、存在高速二維電子氣、擊穿場強高,。這些性能使得器件耐高溫、耐高壓,、開關(guān)速度快,、導(dǎo)通電阻低、體積小,、重量輕,。   3. SiC 外延應(yīng)用 SiC外延片主要用于肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）,、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）,、雙極結(jié)型晶體管（BJT）、晶閘管（SCR）,、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）,，應(yīng)用于低壓、中壓和高壓領(lǐng)域,。目前,，用于高壓領(lǐng)域的SiC外延片在世界范圍內(nèi)處于研發(fā)階段。