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銻化鎵（GaSb）是III-V族的鎵和銻的半導體化合物,。它具有約0.61nm的晶格常數(shù),。 得益于其電氣,、光學、熱學等方面的特性,，GaSb可用于紅外探測器,，紅外LED和激光器和晶體管，以及熱光電系統(tǒng),，在高量子效率及高頻器件中擁有巨大的應用潛力,。此外，銻化鎵可用于具有定制光學和傳輸特性的超晶格,，串聯(lián)太陽能電池布置中的升壓電池,，用于提高光伏電池和高效熱光伏 (TPV) 電池的效率。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”銻化鎵單晶片,。
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