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磷化銦單晶片InP
磷化銦單晶片InP

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型號

磷化銦單晶片InP

品牌

中芯晶研

產(chǎn)地

福建

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廈門中芯晶研半導(dǎo)體有限公司

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磷化銦(InP)是由銦和磷組成的二元半導(dǎo)體,。它具有面心立方(“zincblende”)晶體結(jié)構(gòu),,與GaAs和大多數(shù)III-V半導(dǎo)體相同。磷化銦可以通過白磷和碘化銦在400℃下的反應(yīng)制備,,也可以通過在高溫和高壓下直接組合純化的元素,,或通過三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來制備。磷化銦用于高功率和高頻電子設(shè)備,,因為它相對于更常見的半導(dǎo)體硅和砷化鎵具有優(yōu)異的電子速度。它與銦鎵砷一起用于制造破紀錄的假晶異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,,其可以在604GHz下工作,。它還具有直接帶隙,使其可用于激光二極管等光電器件,。Infinera公司使用磷化銦作為制造光通信行業(yè)光子集成電路的主要技術(shù)材料,,以實現(xiàn)波分復(fù)用應(yīng)用。磷化銦還用作外延基于銦鎵砷的光電器件的襯底,。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”磷化銦單晶片,。image.png

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