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磷化銦（InP）是由銦和磷組成的二元半導(dǎo)體。它具有面心立方（“zincblende”）晶體結(jié)構(gòu),，與GaAs和大多數(shù)III-V半導(dǎo)體相同,。磷化銦可以通過白磷和碘化銦在400℃下的反應(yīng)制備，也可以通過在高溫和高壓下直接組合純化的元素,，或通過三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來制備,。磷化銦用于高功率和高頻電子設(shè)備，因?yàn)樗鄬τ诟Ｒ姷陌雽?dǎo)體硅和砷化鎵具有優(yōu)異的電子速度,。它與銦鎵砷一起用于制造破紀(jì)錄的假晶異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,，其可以在604GHz下工作。它還具有直接帶隙,，使其可用于激光二極管等光電器件,。Infinera公司使用磷化銦作為制造光通信行業(yè)光子集成電路的主要技術(shù)材料，以實(shí)現(xiàn)波分復(fù)用應(yīng)用,。磷化銦還用作外延基于銦鎵砷的光電器件的襯底,。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”磷化銦單晶片。
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