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砷化鎵（GaAs）是鎵和砷元素的化合物,。它是具有閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的III-V直接帶隙半導(dǎo)體,。砷化鎵用于制造微波頻率集成電路，單片微波集成電路,，紅外發(fā)光二極管,，激光二極管，太陽能電池和光學(xué)窗口等設(shè)備,。GaAs通常用作外延生長其他III-V半導(dǎo)體的襯底材料,，包括砷化銦鎵,，砷化鋁鎵等。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”砷化鎵單晶片,。
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