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氮化鎵（GaN）是二十世紀九十年代以來常用于發(fā)光二極管的二元III / V直接帶隙半導體,。該化合物是一種非常堅硬的材料,，具有纖鋅礦晶體結(jié)構。其3.4 eV的寬帶隙為光電,，高功率和高頻器件的應用提供了特殊的性能,。例如，GaN是使紫色（405nm）激光二極管成為可能的基板,，而不使用非線性光學倍頻,。它對電離輻射的敏感性很低（與其他III族氮化物一樣），使其成為衛(wèi)星太陽能電池陣列的合適材料,。由于設備在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出穩(wěn)定性,，因此軍事和太空應用也可能受益。由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作,，并且工作電壓比砷化鎵（GaAs）晶體管高得多,，因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。此外,，GaN為THz器件提供了有前景的特性,。
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