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由多個(gè)高真空單靶磁控濺射組成工藝系統(tǒng)

NDT系列設(shè)備主要是由電源系統(tǒng),、真空系統(tǒng),、控制系統(tǒng)、磁控濺射鍍膜源系統(tǒng)組成,?？刂葡到y(tǒng)是由PLC程序控制的工控機(jī)。電源主要是控制電源和偏壓電源,。每個(gè)磁控濺射鍍膜源靶由低電壓高電流的電弧源提供能量,，電壓電流都可以調(diào)節(jié)。設(shè)備有12只陰極電弧離化源,，能夠保證同時(shí)安裝3列純金屬或合金靶材,。工件與腔體之間是負(fù)偏壓，其目的是提高入射粒子的速度,、沉積速率,，增加膜和基體表面的結(jié)合的牢固度。

系統(tǒng)由至高真空后充入工藝氣體,，在陰極和陽極間加壓，兩極間即產(chǎn)生輝光放電,。放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下飛向陰極,，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,，濺射原子在基片表面沉積成膜,。磁控濺射濺射率高、基片溫升低,、膜-基結(jié)合力好,、裝置性能穩(wěn)定、操作控制方便,。

主要特點(diǎn)

1,、 獨(dú)特的磁場(chǎng)設(shè)計(jì)，在真空條件下把碳?xì)錃怏w離化為碳等離子體,，再利用離子引出裝置技術(shù),，能夠制成性能優(yōu)越的超級(jí)類金剛石DLC薄膜；

2,、 設(shè)備具備加熱,、離子束濺射清洗和磁控濺射沉積金屬層的能力；

3,、 腔室圓周壁安裝磁控濺射源,、離子束清洗源和加熱器，底部布置高真空抽氣系統(tǒng),。頂部有旋轉(zhuǎn)基片架驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和真空度測(cè)量系統(tǒng) ,；

4、設(shè)備采用全自動(dòng)控制系統(tǒng),，能控制工藝溫度,、膜層厚度，能對(duì)微孔內(nèi)壁鍍膜,；

5,、行星轉(zhuǎn)架底座為公轉(zhuǎn)+自轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu),；

6、 突出安全性設(shè)計(jì)：設(shè)備中外露部分,，包括真空腔室、抽氣系統(tǒng),、離子源背部等能觸摸到的表面，全部接地保護(hù),；內(nèi)部帶電部分也有明顯警示標(biāo)志,。設(shè)備控制軟件設(shè)有自動(dòng)保護(hù)功能。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

1,、純離子鍍膜技術(shù)的兩大創(chuàng)新和成熟的工藝相結(jié)合,，使得膜層具備如下性能：大面積鍍膜、均勻性好,；繞射性好、適用于復(fù)雜形狀曲面的鍍膜,、可涂覆帶有槽,、溝、孔,，甚至是盲孔的工件,；

2、工藝穩(wěn)定,、重復(fù)性好,；粘附性好；高純度,、無顆粒,；摩擦系數(shù)小、防刮花,、耐磨損,；

3、化學(xué)穩(wěn)定性好,、適應(yīng)惡劣環(huán)境,、耐腐蝕,；

4、適用于光學(xué)膜層,；可以在導(dǎo)體,、半導(dǎo)體和絕緣體基底上沉積；可以和純離子鍍膜,，磁控濺射和離子束清洗等工藝配合等,；

5,、NDT技術(shù)備制的膜層厚度通常在5nm-15μm之間,，可以廣泛應(yīng)用在：3C消費(fèi)電子、家電,、紡織,、閥門、半導(dǎo)體,、模具,、新能源、**航天,、科研等行業(yè),；

6、NDT設(shè)備高沉積速率,；

7,、鍍膜的種類多樣化，膜層厚度均勻性良好,。