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程序升溫原位氣體反應(yīng)系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)的樣品臺基礎(chǔ)上搭建可視化NONA-LAB和四電極反饋控溫模塊,,在透射電鏡中實現(xiàn)樣品的氣氛環(huán)境皮米級高分辨成像和精準(zhǔn)、均勻,、安全控溫,,溫度精度優(yōu)于±0.1K,**溫度1000℃,,**氣壓2000mBar,。通過精確的熱場模擬及獨特的芯片設(shè)計,實現(xiàn)無漂移加熱過程,,可在加熱升溫過程中實現(xiàn)實時觀測成像,。原位氣氛反應(yīng)納流控安全管理系統(tǒng)實現(xiàn)納升級別流體引入,高效精確控制氣體池中的流體的流速流量,,*低為10nL/s,,引入流體在極其微量級別,即使在芯片窗體薄膜破裂的情況下,,也不會有大量氣體滲漏,,使得電鏡的安全得以保證,實驗不受影響可持續(xù)進(jìn)行,。
獨特優(yōu)勢
●原子級分辨率
a.超薄氣夾層(100-200nm)
b.超薄氮化硅膜(可達(dá)10nm)
●溫控精確
a.四電極形成反饋控制系統(tǒng),,控溫準(zhǔn)
b.觀測區(qū)域全覆蓋,升溫快且均勻
●安全性高
a.防腐多路精確控制氣體混合
b.納流控系統(tǒng)防滲漏
系統(tǒng)規(guī)格
溫度范圍 | RT~1000℃ |
氣體模式 | 靜態(tài)或流體 |
窗口膜厚 | 10nm,, 25nm,, 50nm |
氣體池厚度 | 100~200nm |
芯片管路 | 一進(jìn)一出 |
外部管路 | 1-4進(jìn)1出 |
壓力范圍 | 0~2000mBar |
適用氣氛 | H2, He,, N2,, O2, Ar,, H2O,, CO,CO |
溫度精度 | ≥95% |
加熱均勻性 | ≥99.5% |
加熱電極數(shù) | 4 |
(HR)TEM/STEM | √ |
(HR)EDS/EELS | √ |
適用電鏡 | FEI,, JEOL,, Hitachi |
適用極靴 | ST,XT,,T,,BioT,HRP,,HTP,,CRP |
應(yīng)用實例
PbSe納米粒子暴露在少量空氣中形貌變化原位觀測X. Peng et al., In Situ TEM Study of the Degradation of PbSe Nanocrystals in Air. Chemistry of Materials 31,, 190-199 (2019).
售后服務(wù)
1,、設(shè)備運抵現(xiàn)場,,我方技術(shù)人員同時到達(dá),一同開箱檢驗,,并提供有關(guān)設(shè)備的搬運,、倉儲、注意事項的技術(shù)咨詢服務(wù),;
2,、設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試階段,我方技術(shù)人員到現(xiàn)場協(xié)助安裝調(diào)試,,及時處理安裝過程中所遇到的問題,,確保系統(tǒng)成功使用;
3,、合同要求提供產(chǎn)品使用,、維護(hù)說明書,設(shè)備的原理圖,、接線圖,、施工圖等技術(shù)資料及備品。建立售后跟蹤,,及時了解設(shè)備運行情況,、接受用戶的報修、投訴,、以便及時安排技術(shù)人員解答或趕赴現(xiàn)場,;
4、加強與用戶的聯(lián)系,,重視用戶的意見,,制定各用戶的質(zhì)量跟蹤信息卡制度,,健全用戶檔案,,并且對產(chǎn)品進(jìn)行回訪,了解設(shè)備的運行情況,,以確保用戶長期安全可靠地使用我公司的設(shè)備,。
5、公司儲存充足的零配件,,隨時滿足客戶單位對備品備件的要求,。
暫無數(shù)據(jù)!