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原位程序升溫原位反應(yīng)系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)基礎(chǔ)上搭建四電極反饋控溫的加熱模塊,在掃描電鏡中實(shí)
現(xiàn)樣品的氣氛,、液氛環(huán)境及固體樣品高分辨成像和精準(zhǔn),、均勻、安全控溫,,溫度精度優(yōu)于 ± 0.1K,,**溫度1000℃。通過精確的熱場(chǎng)模擬及獨(dú)特的芯片設(shè)計(jì),,實(shí)現(xiàn)無(wú)漂移加熱過程,,可在加熱升溫過程中實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)觀測(cè)成像。樣品臺(tái)上的原位芯片采用特殊的組裝和密封方式與電鏡的真空阻隔,,避免電鏡受到污染和損壞,。
系統(tǒng)規(guī)格
溫度范圍 | RT~1000℃ |
適用樣品 | 靜態(tài)&流體氣液,、固體 |
窗口膜厚 | 25nm, 50nm |
液體池厚度 | 200~2000nm |
芯片管路 | 一進(jìn)一出 |
溫度精度 | ±0.1K |
加熱均勻性 | ≥99.5% |
加熱電極數(shù) | 4 |
EDS/WDS | √ |
EBSD/SE | √ |
漂移率 | <0.5nm/min |
適用電鏡 | ZEISS,, FEI,, JEOL, Hitachi,, Others |
獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
超高分辨率
a.超薄氮化硅膜(25-50nm)
b.分辨率優(yōu)于10nm
精確度,、靈敏度高
a.四電極形成反饋控制系統(tǒng),控溫準(zhǔn)
b.觀測(cè)區(qū)域全覆蓋,,升溫快且均勻
穩(wěn)定性好
a.科學(xué)設(shè)計(jì),,漂移率*小化
b.樣品臺(tái)與芯片匹配良好,芯片不漂移
應(yīng)用領(lǐng)域
氣體環(huán)境加熱
熱催化
水汽重整
石油裂解
煤制油
合成氨
液體環(huán)境加熱
納米催化劑合成
溫致反應(yīng)過程
溶劑熱過程
固體直接加熱
EBSD原位分析
金屬材料
石油地質(zhì)巖石礦物
化工高分子材料
新能源電池材料
半導(dǎo)體
售后服務(wù)
1,、設(shè)備運(yùn)抵現(xiàn)場(chǎng),,我方技術(shù)人員同時(shí)到達(dá),,一同開箱檢驗(yàn),,并提供有關(guān)設(shè)備的搬運(yùn)、倉(cāng)儲(chǔ),、注意事項(xiàng)的技術(shù)咨詢服務(wù),;
2、設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試階段,,我方技術(shù)人員到現(xiàn)場(chǎng)協(xié)助安裝調(diào)試,,及時(shí)處理安裝過程中所遇到的問題,確保系統(tǒng)成功使用,;
3,、合同要求提供產(chǎn)品使用、維護(hù)說(shuō)明書,,設(shè)備的原理圖,、接線圖、施工圖等技術(shù)資料及備品,。建立售后跟蹤,,及時(shí)了解設(shè)備運(yùn)行情況、接受用戶的報(bào)修,、投訴,、以便及時(shí)安排技術(shù)人員解答或趕赴現(xiàn)場(chǎng);
4,、加強(qiáng)與用戶的聯(lián)系,,重視用戶的意見,制定各用戶的質(zhì)量跟蹤信息卡制度,,健全用戶檔案,,并且對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行回訪,,了解設(shè)備的運(yùn)行情況,以確保用戶長(zhǎng)期安全可靠地使用我公司的設(shè)備,。
5,、公司儲(chǔ)存充足的零配件,隨時(shí)滿足客戶單位對(duì)備品備件的要求,。
暫無(wú)數(shù)據(jù),!