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以非接觸方式測量晶圓等的研磨和拋光工藝，超高速,、實時,、高精度測量晶圓和樹脂
產品詳細信息
特點
非接觸式，非破壞性厚度測量
反射光學系統(tǒng)（可從一側接觸測量）
高速（**5 kHz）實時評測
高穩(wěn)定性（重復精度低于0.01％）
耐粗糙度強
可對應任意距離
支持多層結構（*多5層）
內置NG數(shù)據(jù)消除功能
可進行距離（形狀）測量（使用配件嵌入式傳感器）*
*通過測量測量范圍內的光學距離
Point1：獨有技術
對應廣范圍的薄膜厚度并實現(xiàn)高波長分辨率,。
采用大塚電子獨有技術制成緊湊機身,。
Point2：高速對應
即使是移動物體也可利用準確的間距測量，
是工廠生產線的理想選擇,。
Point3：各種表面條件的樣品都可對應
從20微米的小斑點到
各種表面條件的樣品,，都可進行厚度測量。
Point4：各種環(huán)境都可對應
因為*遠可以從200 mm的位置進行測量,，
所以可根據(jù)目的和用途構建測量環(huán)境,。
測定項目
厚度測量（5層）
用途
各種厚膜的厚度
式樣
| 型號 | SF-3/200 | SF-3/300 | SF-3/1300 | SF-3/BB |
|---|---|---|---|---|
| 測量厚度范圍? | 5～400 | 10～775 | 50～1300 | 5～775 |
| 樹脂厚度范圍? | 10～1000 | 20～1500 | 100～2600 | 10～1500 |
| *小取樣周期kHz（μsec） | 5（200）※1 | - | ||
| 重復精度% | 0.01%以下※2 | |||
| 測量點徑? | 約φ20以上※3 | |||
| 測量距離mm | 50.80.120※4.200※4 | |||
| 光源 | 半導體光源（クラス３Ｂ相當） | |||
| 解析方法 | FFT解析，*適化法※5 | |||
| interface | LAN,，I/O入輸出端子 | |||
| 電源 | DC24V式樣（AC電源另行銷售） | |||
| 尺寸mm | 123×128×224 | 檢出器：320×200×300 光源：260×70×300 | ||
| 選配 | 各種距離測量探頭,，電源部（AC用），安全眼睛 鋁參考樣品,，測量光檢出目標,，光纖清理器 | |||
＊1 ： 測量條件以及解析條件不同，*小取樣周期也不同,。
＊2 ： 是產品出貨基準的保證值規(guī)格,，是當初基準樣品AirGap約300μm和
約1000μm測量時的相對標準偏差（ n = 20 ）
＊3 ： WD50mm探頭式樣時的設計值
＊4 ： 特別式樣
＊5 ： 薄膜測量時使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構成
測定例
貼合晶圓
Mapping結果
研削后300mm晶圓硅厚度
暫無數(shù)據(jù),！
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