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FE-5000品牌
大塚電子產(chǎn)地
江蘇樣本
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特點
可在紫外和可見（250至800nm）波長區(qū)域中測量橢圓參數(shù)
可分析納米級多層薄膜的厚度
可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜
通過可變反射角測量,，可詳細分析薄膜
通過創(chuàng)建光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊功能,，增強操作便利性
通過層膜貼合分析的光學常數(shù)測量可控制膜厚度/膜質(zhì)量
測量項目
測量橢圓參數(shù)（TANψ，COSΔ）
光學常數(shù)（n：折射率,，k：消光系數(shù)）分析
薄膜厚度分析
用途
半導體晶圓
柵氧化膜,，氮化膜
SiO2,，SixOy,，SiN，SiON,，SiNx,，Al2O3,，SiNxOy，poly-Si,，ZnSe,，BPSG，TiN
光學常數(shù)（波長色散）
復合半導體
AlxGa（1-x）多層膜,、非晶硅
FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO,、MgO等
各種新材料
DLC（類金剛石碳）、超導薄膜,、磁頭薄膜
光學薄膜
TiO2，SiO2多層膜,、防反射膜,、反射膜
光刻領域
g線（436nm）、h線（405nm）,、i線（365nm）和KrF（248nm）等波長的n,、k評估
原理
包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對于反射光的橢圓偏振光進行測量,。s波和p波的位相和振幅獨立變化,，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù),，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
產(chǎn)品規(guī)格
| 型號 | FE-5000S | FE-5000 |
|---|---|---|
| 測量樣品 | 反射測量樣品 | |
| 樣品尺寸 | 100x100毫米 | 200x200毫米 |
| 測量方法 | 旋轉分析儀方法*1 | |
| 測量膜厚范圍（ND） | 0.1納米- | |
| 入射（反射）的角度范圍 | 45至90° | 45至90° |
| 入射（反射）的角度驅動方式 | 自動標志桿驅動方法 | |
| 入射點直徑*2 | 關于φ2.0 | 關于φ1.2sup*3 |
| tanψ測量精度 | ±0.01以下 | |
| cosΔ測量精度 | ±0.01以下 | |
| 薄膜厚度的可重復性 | 0.01％以下*4 | |
| 測定波長范圍*5 | 300至800納米 | 250至800納米 |
| 光譜檢測器 | 多色儀（PDA,，CCD） | |
| 測量用光源 | 高穩(wěn)定性氙燈*6 | |
| 平臺驅動方式 | 手動 | 手動/自動 |
| 裝載機兼容 | 不可 | 可 |
| 尺寸,，重量 | 650（W）×400（D）×560（H）mm 約50公斤 | 1300（W）×900（D）×1750（H）mm 約350公斤*7 |
| 軟件 | ||
| 分析 | *小二乘薄膜分析（折射率模型函數(shù)，Cauchy色散方程模型方程,，nk-Cauchy色散模型分析等） 理論方程分析（體表面nk分析,，角度依賴同時分析） | |
*1可以驅動偏振器，可以分離不感帶有效的位相板,。
*2取決于短軸?角度,。
*3對應微小點（可選）
*4它是使用VLSI標準SiO2膜（100nm）時的值。
*5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇,。
*6光源因測量波長而異,。
*7選擇自動平臺時的值。
測量示例
以梯度模型分析ITO結構[FE-0006]
作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO（氧化銦錫）,，在成膜后的退火處理（熱處理）可改善其導電性和色調(diào),。此時，氧氣狀態(tài)和結晶度也發(fā)生變化,，但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的,，不能將其視為具有光學均勻組成的單層膜。
以下介紹對于這種類型的ITO,，通過使用梯度模型,，從上界面和下界面的nk測量斜率。
考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]
當樣品表面存在粗糙度（Roughness）時,，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層”,，可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況,。
使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]
有機EL材料易受氧氣和水分的影響,，并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此,，在成膜后立即用玻璃密封,。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型,。
使用多點相同分析測量未知的超薄nk[FE-0014]
為了通過擬合*小二乘法來分析膜厚度值（d）需要材料nk,。如果nk未知，則d和nk都被分析為可變參數(shù),。然而,，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下，d和nk是無法分離的，因此精度將降低并且將無法求出精確的d,。在這種情況下,，測量不同d的多個樣本，假設nk是相同的,，并進行同時分析（多點相同分析）,，則可以高精度、精確地求出nk和d,。
暫無數(shù)據(jù),！
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大塚電子利用光技術,，開發(fā)出各種分析測量裝置,，給客戶提供尖端測量技術支持。以測量技術,、應用示例等重點介紹為主,，定期舉辦Webinar(網(wǎng)絡研討會)。
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