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碳化硅單晶

推薦SiC單晶片切不好,，后面都“白扯”

中國粉體網(wǎng)訊 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，由于襯底占器件總成本的47%,，因此降低晶體缺陷,，提升襯底良率是助推實現(xiàn)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的主要途徑，良率提升重點在于晶體生長與切割環(huán)節(jié),。目前行業(yè)內(nèi)主要以高純碳粉,、高純硅粉為原料合成碳化硅粉[更多]

資訊 第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶碳化硅切割技術(shù)線鋸切割激光切割
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