推薦高純度碳化硅清潔生產(chǎn)

中國粉體網(wǎng)訊 SiC具有寬帶隙,、高臨界擊穿場強、高熱導率,、高載流子飽和遷移率等優(yōu)點,，特別適合于制造高頻、大功率,、抗輻射,、抗腐蝕的電子器件，是半導體材料領域中較有前景的材料之一,。碳化硅的物理化學性能SiC晶體材料的發(fā)展歷史已有[更多]