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SiC襯底

推薦SiC邁進(jìn)12英寸,！三家企業(yè)正布局

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,，其晶圓尺寸的演進(jìn)一直是產(chǎn)業(yè)降本增效的關(guān)鍵路徑,。當(dāng)前產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)呈現(xiàn)出“6英寸主流,、8英寸過(guò)渡、12英寸突破”的階梯式發(fā)展格局,，技術(shù)迭代速度遠(yuǎn)超預(yù)期,。浙江晶瑞：實(shí)現(xiàn)12英寸[更多]

資訊 第三代半導(dǎo)體SiC單晶SiC襯底SiC長(zhǎng)晶設(shè)備12英寸碳化硅
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